[发明专利]无需退火的氧化物晶体生长方法及设备

权利要求书

1.一种晶体生长方法，其特征在于：

所述晶体的分子式如下所示：或其中，

X由Gd、Lu、La、Yb、Sc、Y中的一个或以上组成；

Y由Ce、Na、K、Cu、Ag、Mg、Ca、Zn、Sr、Gd、B、Al、Ga、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Ti、Ge、Zr、Sn、Hf、La、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Y、Pm、Lu中的一个或以上组成；

Z由Sc、Y、Gd、Lu中的一个或以上组成；

M由O、Cl、F、Br、S中的一种或以上组成；

N由Cl、F、Br、S中的一种或以上组成；

x＝0.000001-0.06，y＝0-1；

所述方法包括：

根据生成所述晶体的反应方程式对式中各反应物料进行第一预处理后按摩尔比对所述反应物料进行称重，其中，包含Si的反应物料的重量超出基于所述反应方程式计算出的其理论重量的0.01％-10％；

对晶体生长装置的至少一个部件进行装配前处理后，将执行过第二预处理的反应物料置于所述晶体生长装置内，其中，

所述至少一个部件包括埚；

所述装配前处理至少包括对所述埚的涂层保护、酸液泡洗、异物清洁中的一种或多种；

所述晶体生长装置密闭后内部通入流动气体；

启动所述晶体生长装置基于上提拉法生长晶体。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，Y至少由Ce组成，包含Ce的反应物料包括CeO₂、Ce₂O₃、Ce(CO₃)₂、CeCl₃、氟化铈、硫化铈、溴化铈等中的一种或多种。

3.一种晶体生长方法，其特征在于：

所述晶体的分子式如下所示：(A_1-bB_b)₃(P_1-qQ_q)₅O₁₂，其中，

A由Gd、Lu、La、Yb、Sc、Y中的一个或以上组成；

B由Ce、Na、K、Cu、Ag、Mg、Ca、Zn、Sr、Gd、B、Al、Ga、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Ti、Ge、Zr、Sn、Hf、La、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Y、Pm、Lu中的一个或以上组成；

P由Al、Ga、In、Sc中的一个或以上组成；

Q由Al组成；

b＝0-1，q＝0-1：

所述方法包括：

根据生成所述晶体的反应方程式对式中各反应物料进行第一预处理后按摩尔比对所述反应物料进行称重，其中，当B包括Ga时，包含镓的反应物料的重量超出基于所述反应方程式计算出的其理论重量的0.01％-10％；

对晶体生长装置的至少一个部件进行装配前处理后，将执行过第二预处理的反应物料置于所述晶体生长装置内，其中，

所述至少一个部件包括埚；

所述装配前处理至少包括对所述埚的涂层保护、酸液泡洗、异物清洁中的一种或多种：

所述晶体生长装置密闭后内部通入流动气体；

启动所述晶体生长装置基于上提拉法生长晶体。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，Y至少由Ce组成，包含Ce的反应物料包括CeO₂、Ce₂O₃、Ce(CO₃)₂、CeCl₃、氟化铈、硫化铈、溴化铈等中的一种或多种。