[发明专利]一种带有源偏置的超宽带功率放大器电路

说明书

本发明公开了一种带有源偏置的超宽带功率放大器电路，包括偏置电路、放大电路、电感L1，所述偏置电路的第一端与所述放大电路的第一端连接，并通过电容C1与信号输入端连接；所述偏置电路的第二端与所述放大电路的第二端连接，并通过电容C3与信号输出端连接；所述偏置电路的第三端和所述放大电路的第三端分别接地，所述电感L1的第一端与所述偏置电路第二端、放大电路第二端、电容C3第一端连接，所述电感L1的第二端与电源连接。本发明可以解决超宽带功率放大器的输出功率低，线性度低的问题。

技术领域

本发明涉及射频集成电路的技术领域，具体的说，涉及一种带有源偏置的超宽带功率放大器电路。

背景技术

超宽带功率放大器是射频前端模组中非常重要的组成单元，主要功能就是放大信号并提供一定的功率增益。功率放大器按带宽的不同来划分可分为超宽带功率放大器、宽带功率放大器和窄带功率放大器，由于超宽带功率放大器输入输出阻抗一般会匹配到系统阻抗50欧姆，使其应用非常广泛。

分布式结构可以实现极宽的带宽，但其面积大，效率和增益较低，而共源共栅达林顿结构由于其自身优异的宽带特性而成为超宽带功率放大器设计中常用的结构，共源共栅达林顿结构可以实现极宽的带宽，但传统的共源共栅达林顿结构偏置电路为电阻分压电路结构存在温度系数差，线性度差的问题。

发明内容

本发明提供一种带有源偏置的超宽带功率放大器电路，可以解决超宽带功率放大器的输出功率低，线性度低的问题。

为了解决上述技术问题，本发明的技术方案是这样实现的。

本发明实施例提供一种带有源偏置的超宽带功率放大器电路，包括偏置电路、放大电路、电感L1，所述偏置电路的第一端与所述放大电路的第一端连接，并通过电容C1与信号输入端连接；所述偏置电路的第二端与所述放大电路的第二端连接，并通过电容C3与信号输出端连接；所述偏置电路的第三端和所述放大电路的第三端分别接地，所述电感L1的第一端与所述偏置电路第二端、放大电路第二端、电容C3第一端连接，所述电感L1的第二端与电源连接；所述有源偏置电路包括电阻R1、R2、R3、R4和R5，晶体管M4和M5；所述电阻R1的第一端与偏置电路的第二端连接，所述电阻R1的第二端与电阻R2的第一端、晶体管M5的第一端连接，所述电阻R2的第二端与晶体管M4的第一端、晶体管M5的第二端连接，所述晶体管M4的第二端与晶体管M5的第三端、电阻R4的第一端、电阻R5的第一端连接，所述晶体管M4的第三端与电阻R3的第一端连接，所述电阻R3的第二端与电阻R4的第二端相互连接并与偏置电路的第三端连接，所述电阻R5的第二端与所述有源偏置电路的第一端连接。

在本发明提供的实施例中，所述放大电路包括晶体管M1、M2和M3，电阻R6、R7、R8和R9，电容C2；所述晶体管M1的第二端与所述放大电路的第一端连接，所述晶体管M1的第三端分别与电阻R6的第一端、晶体管M2的第二端连接，所述晶体管M2的第三端与电阻R9的第一端连接，所述电阻R6的第二端和电阻R9的第二端相互连接并与所述放大电路的第三端连接，所述晶体管M1的第一端和晶体管M2的第一端相互连接并与所述晶体管M3的第三端连接；所述晶体管M3的第一端与电阻R7的第一端相互连接并与所述放大电路的第二端连接；晶体管M3的第二端与电阻R7的第二端、电阻R8的第一端、电容C2的第一端连接，所述电阻R8的第二端和电容C2第二端连接并接地。所述晶体管M1、M2、M3、M4和M5均为FET管。

与现有技术相比，本发明通过有源偏置电路代替电阻分压偏置电路结构，从而在不同温度下依然具有稳定的静态工作点，增强了电路的稳定性，同时提高了线性度。可以通过共源共栅达林顿结构来提高工作电压，从而可以提高输出功率。

本发明的其它优点、目标和特征将部分通过下面的说明体现，部分还将通过对本发明的研究和实践而为本领域的技术人员所理解。

附图说明