[发明专利]设备、Flash存储器及其数据存储方法

说明书

本发明公开了一种Flash存储器的数据存储方法，Flash存储器包括至少两个用于存储数据的目录信息的第一存储区域，Flash存储器的数据存储方法包括以下步骤：在接收到指令，且指令触发目录信息的写入操作时，在各个第一存储区域中，确定第一目标存储区域以及第二目标存储区域，其中，第二目标存储区域为数据写入次数最少的第一存储区域，第一目标存储区域为上一次进行写入操作的第一存储区域；从第一目标存储区域中读取第一目录信息，并将第二目标存储区域存储的第二目录信息擦除；根据指令更新第一目录信息，并将更新后的第一目录信息写入第二目标存储区域。本发明还公开一种Falsh存储器和设备。本发明延长了Flash存储器的使用寿命。

技术领域

本发明涉及Flash存储器技术领域，尤其涉及一种设备、Flash存储器及其数据存储方法。

背景技术

Flash存储器是一种非易失性存储器，在没有供电的情况下，Flash存储器也可以长期保存系统数据。Flash存储器相当于文件存储设备，可用于存储低成本的消费电子设备的用户数据和系统信息。

Flash存储器在进行数据存储时，需要对数据进行管理。而Flash存储器中有多个存储数据的区域，每个区域进行数据存储时，数据的管理信息均需要进行更新，这会导致数据管理区域的擦写次数远远大于数据存储的区域。Flash存储器的擦写次数有一定的限制，由于数据管理区域的擦写次数远远大于数据存储的区域，会使得数据管理区域更早的出现坏块的问题，从而导致Flash存储器无法写入数据，缩短了Flash存储器的使用寿命。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种设备、Flash存储器及其数据存储方法，旨在解决Flash存储器的使用寿命较短的问题。

为实现上述目的，本发明提供一种Flash存储器的数据存储方法，所述Flash存储器包括至少两个用于存储数据的目录信息的第一存储区域，所述Flash存储器的数据存储方法包括以下步骤：

在接收到指令，且所述指令触发目录信息的写入操作时，在各个所述第一存储区域中，确定第一目标存储区域以及第二目标存储区域，其中，所述第二目标存储区域为数据写入次数最少的所述第一存储区域，所述第一目标存储区域为上一次进行写入操作的所述第一存储区域；

从所述第一目标存储区域中读取第一目录信息，并将所述第二目标存储区域存储的第二目录信息擦除；

根据所述指令更新所述第一目录信息，并将更新后的所述第一目录信息写入所述第二目标存储区域。

在一实施例中，所述将更新后的所述第一目录信息写入所述第二目标存储区域的步骤包括：

更新所述第二目标存储区域的数据写入次数；

将更新后的数据写入次数以及更新后的所述第一目录信息写入所述第二目标存储区域。

在一实施例中，所述Flash存储器包括若干用于存储数据的第二存储区域，所述根据所述指令更新所述第一目录信息，并将更新后的所述第一目录信息写入所述第二目标存储区域的步骤包括：

在所述指令为数据写入指令时，确定所述数据写入指令对应的数据的第一索引；

在各个所述第二存储区域中确定第三目标存储区域，并获取所述第三目标存储区域的标识；

将所述标识以及所述索引关联添加至所述第一目录信息，以对所述第一目录信息进行更新；

将更新后的所述第一目录信息写入所述第二目标存储区域，并将所述数据写入指令对应的数据写入至所述第三目标存储区域。

在一实施例中，所述Flash存储器包括用于存储数据的若干第二存储区域，所述根据所述指令更新所述第一目录信息，并将更新后的所述第一目录信息写入所述第二目标存储区域的步骤包括：