[发明专利]一种低相位噪声的前馈环形振荡器有效
申请号: | 202110056572.1 | 申请日: | 2021-01-15 |
公开(公告)号: | CN112910414B | 公开(公告)日: | 2022-08-26 |
发明(设计)人: | 袁珩洲;桑浩;郭阳;梁斌;陈建军;池雅庆;罗登;屈婉霞;吴振宇;刘必慰;胡春媚;宋睿强 | 申请(专利权)人: | 中国人民解放军国防科技大学 |
主分类号: | H03B5/32 | 分类号: | H03B5/32;H03B5/04 |
代理公司: | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人: | 胡君 |
地址: | 410073 湖南*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 相位 噪声 环形 振荡器 | ||
1.一种低相位噪声的前馈环形振荡器,其特征在于:包括用于提供正交相位的振荡波形的主路径支路、以及用于反馈所述主路径支路输出信号的辅助路径支路,所述主路径支路包括四级以上的第一延迟单元,各级所述第一延迟单元形成环形连接,所述辅助路径支路包括四个以上的第二延迟单元,每个所述第二延迟单元一一对应的连接在所述主路径支路中两级所述第一延迟单元之间,以用于将所述主路径支路每一级的输出信号分别反馈至当前级的所述第一延迟单元与下一级的所述第一延迟单元;所述第一延迟单元为第一反相器,所述第二延迟单元为第二反相器;所述第一反相器采用CMOS反相器,其中PMOS的源极和NMOS的源极均与所述辅助路径支路的输出端连接,所述辅助路径支路中第二延迟单元具体将所述主路径支路每一级的输出信号分别反馈到当前级所述第一反相器的PMOS源极、下一级所述第一反相器的NMOS源极。
2.根据权利要求1所述的低相位噪声的前馈环形振荡器,其特征在于:所述第二反相器采用CMOS反相器,其中PMOS的源极输入偏置电流、NMOS的源极接地,由输入的偏置电流控制所述第二延迟单元正常工作后,当电路中出现微小扰动时控制输出反馈信号。
3.根据权利要求1~2中任意一项所述的低相位噪声的前馈环形振荡器,其特征在于:所述第一延迟单元的级数为偶数。
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