[发明专利]一种提高效率的烧结钕铁硼氢碎装置

权利要求书

1.一种提高效率的烧结钕铁硼氢碎装置，包括钕铁硼氢碎处理室（1）、氢气瓶装填输入设备（2）、热量交换设备（3）和设备内部真空处理设备（4），所述氢气瓶装填输入设备（2）活动安装在钕铁硼氢碎处理室（1）的内部，所述钕铁硼氢碎处理室（1）的底部固定安装有热量交换设备（3），所述设备内部真空处理设备（4）的底部固定安装在钕铁硼氢碎处理室（1）的顶部，其特征在于：所述氢气瓶装填输入设备（2）包括感应开口（5）、氢气瓶装填底座（8）、电磁控制器（7）、磁力吸附模组（9）、加压转流仓（10）和防泄漏保护管道（11），所述感应开口（5）覆盖在氢气瓶装填输入设备（2）的顶部，所述电磁控制器（7）的一端固定连接在氢气瓶装填底座（8）的外壁上，所述磁力吸附模组（9）的一端固定安装在氢气瓶装填底座（8）的内壁上，所述加压转流仓（10）的顶部固定安装在氢气瓶装填输入设备（2）的内部，所述加压转流仓（10）位于氢气瓶装填底座（8）的上方，所述防泄漏保护管道（11）的一端固定连接在加压转流仓（10）的内部。

2.根据权利要求1所述的一种提高效率的烧结钕铁硼氢碎装置，其特征在于：所述热量交换设备（3）包括热量生产机组（12）、热分子传递导管（13）和热量回流管（14），所述热分子传递导管（13）的两端均固定连接在热量生产机组（12）的内部，所述热量回流管（14）的两端均固定连接在热分子传递导管（13）的内部。

3.根据权利要求1所述的一种提高效率的烧结钕铁硼氢碎装置，其特征在于：所述钕铁硼氢碎处理室（1）的底部固定安装有晶体存放内腔（20）和材料处理室（16），所述晶体存放内腔（20）的顶部固定安装有破碎晶体研磨器（18），所述破碎晶体研磨器（18）的底部电性连接在能源提供层（19）的内部，所述破碎晶体研磨器（18）位于材料处理室（16）的底部，所述材料处理室（16）与破碎晶体研磨器（18）的交接处活动安装有感应阀门（17）。

4.根据权利要求1所述的一种提高效率的烧结钕铁硼氢碎装置，其特征在于：所述氢气瓶装填输入设备（2）与钕铁硼氢碎处理室（1）的交接处固定安装有氢气推进器（15），所述氢气推进器（15）的底部固定安装在氢气瓶装填输入设备（2）的内部，所述氢气推进器（15）的顶部活动连接在材料处理室（16）的内部。

5.根据权利要求3所述的一种提高效率的烧结钕铁硼氢碎装置，其特征在于：所述材料处理室（16）的内壁中固定安装有高分子提取管（21），所述高分子提取管（21）的接触头固定连接在材料处理室（16）的内部，所述材料处理室（16）的中心部位开设有热量交换区域（27）。

6.根据权利要求1所述的一种提高效率的烧结钕铁硼氢碎装置，其特征在于：所述设备内部真空处理设备（4）包括真空压强量取刻度盘（22）、压强指示针（23）、压强调整室（24）、磁力感应封闭层（25）和真空提取管（26），所述真空压强量取刻度盘（22）固定安装在设备内部真空处理设备（4）的内部，所述压强指示针（23）的底部活动安装在真空压强量取刻度盘（22）的表面上，所述真空压强量取刻度盘（22）的接线端与压强调整室（24）的接线端之间电性连接，所述压强调整室（24）的一端固定安装有磁力感应封闭层（25），所述磁力感应封闭层（25）固定安装在真空提取管（26）的内部，所述真空提取管（26）的一端固定连接在真空压强量取刻度盘（22）的内部。

7.根据权利要求5所述的一种提高效率的烧结钕铁硼氢碎装置，其特征在于：所述氢气推进器（15）的一端与防泄漏保护管道（11）的另一端之间固定连接，所述氢气推进器（15）位于破碎晶体研磨器（18）的上方。

8.根据权利要求2所述的一种提高效率的烧结钕铁硼氢碎装置，其特征在于：所述热分子传递导管（13）和热量回流管（14）均固定安装在热量交换区域（27）的内部，所述高分子提取管（21）的一端固定连接在真空提取管（26）的内部。