[实用新型]一种成像模组有效
申请号: | 202022410002.1 | 申请日: | 2020-10-26 |
公开(公告)号: | CN213186257U | 公开(公告)日: | 2021-05-11 |
发明(设计)人: | 胡跃强;王旭东;欧香念;张建;姜玉婷;李苓;段辉高;宋强;马国斌;徐晓波 | 申请(专利权)人: | 湖南大学;深圳珑璟光电科技有限公司;湖南大学深圳研究院 |
主分类号: | H04N5/225 | 分类号: | H04N5/225;G03B17/12;G02B3/00;G02B1/00 |
代理公司: | 深圳市六加知识产权代理有限公司 44372 | 代理人: | 许铨芬 |
地址: | 410082*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 成像 模组 | ||
1.一种成像模组,其特征在于,包括:
衬底;
超构透镜,包括四种超构透镜单元,四种所述超构透镜单元的电介质基底均设置于所述衬底,四种所述超构透镜单元分别为第一超构透镜单元、第二超构透镜单元、第三超构透镜单元和第四超构透镜单元,所述第一超构透镜单元的电介质纳米柱的面内角度与所述第二超构透镜单元的电介质纳米柱的面内角度的差值为九十度,所述第三超构透镜单元的电介质纳米柱的面内角度,与,所述第一超构透镜单元和所述第二超构透镜单元的电介质纳米柱的面内角度的差值均为四十五度,所述第四超构透镜单元可供左圆偏振光或者右圆偏振光通过;
感光芯片,设置于所述超构透镜,且所述感光芯片远离四种所述超构透镜单元的电介质基底;
光学胶,设置于所述超构透镜与所述感光芯片之间,用于将所述超构透镜与所述感光芯片进行粘合。
2.根据权利要求1所述的成像模组,其特征在于,所述第一超构透镜单元的电介质纳米柱的面内角度为零度,所述第二超构透镜单元的电介质纳米柱的面内角度为九十度,所述第三超构透镜单元的电介质纳米柱的面内角度为四十五度。
3.根据权利要求1所述的成像模组,其特征在于,四种所述超构透镜单元以2x2的排列方式设置于所述衬底。
4.根据权利要求1所述的成像模组,其特征在于,四种所述超构透镜单元的形状均包括圆形、四边形和六边形。
5.根据权利要求1所述的成像模组,其特征在于,所述超构透镜的数量为N2个,N2个所述超构透镜以NxN的排列方式设置于所述衬底以进行偏振成像和光场成像,其中,N为任意正整数。
6.根据权利要求1所述的成像模组,其特征在于,所述感光芯片包括电路板和感光元件,所述感光元件设置于所述电路板,所述光学胶设置于所述感光元件。
7.根据权利要求1所述的成像模组,其特征在于,还包括导电层,所述导电层位于所述衬底与所述超构透镜之间。
8.根据权利要求1所述的成像模组,其特征在于,所述超构透镜单元的电介质纳米柱的结构满足400到1500纳米波长的复色光的消色差,其中,所述电介质纳米柱的结构包括高度、长轴尺寸、短轴尺寸和面内角度。
9.根据权利要求8所述的成像模组,其特征在于,所述超构透镜单元的电介质纳米柱的数量为多个,每一所述电介质纳米柱的所述高度的范围均为200nm至1500nm。
10.根据权利要求8所述的成像模组,其特征在于,所述超构透镜单元的电介质纳米柱的数量为多个,每一所述电介质纳米柱的所述长轴尺寸和/或短轴尺寸的范围均为20nm至500nm。
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