[实用新型]一种砷化镓晶体生长设备

说明书

本实用新型涉及砷化镓技术领域，且公开了一种砷化镓晶体生长设备，包括固定板，所述固定板的顶部固定安装有数量为两个的支撑臂，两个所述支撑臂的内侧固定安装有支撑架，所述支撑架的内侧固定安装有限位环，所述限位环的内部活动安装有滚珠，所述坩埚的下方且位于固定板的顶部固定安装有第一电机。该砷化镓晶体生长设备，通过设置第一电机、支撑架、限位环和滚珠，使得坩埚可以旋转，设置连接杆和第二电机，使得籽晶夹持器可以旋转，设置升降板、升降杆和液压缸，使得籽晶夹持器可以在旋转的过程中进行升降操作，方便采用直拉法的方式进行晶体的生长使得操作更为的简单，减少操作人员学习机器的操作时间。

技术领域

本实用新型涉及砷化镓技术领域，具体为一种砷化镓晶体生长设备。

背景技术

砷化镓可以制成电阻率比硅、锗高3个数量级以上的半绝缘高阻材料，用来制作集成电路衬底、红外探测器和γ光子探测器等，由于其电子迁移率比硅大5～6倍，故在制作微波器件和高速数字电路方面得到重要应用，用砷化镓制成的半导体器件具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点。

现有的砷化镓晶体生长设备结构功能较为复杂，在使用和操作的过程中都较为麻烦，使得操作人员需要花费较多的时间用来学习设备的使用，故而提出一种砷化镓晶体生长设备来解决上述提出的问题。

实用新型内容

(一)解决的技术问题

针对现有技术的不足，本实用新型提供了一种砷化镓晶体生长设备，具备操作简单等优点，解决了现有的砷化镓晶体生长设备结构功能较为复杂，在使用和操作的过程中都较为麻烦，使得操作人员需要花费较多的时间用来学习设备的使用的问题。

(二)技术方案

为实现上述操作简单目的，本实用新型提供如下技术方案：一种砷化镓晶体生长设备，包括固定板，所述固定板的顶部固定安装有数量为两个的支撑臂，两个所述支撑臂的内侧固定安装有支撑架，所述支撑架的内侧固定安装有限位环，所述限位环的内部活动安装有滚珠，所述支撑架的内侧固定安装有坩埚，所述坩埚的下方且位于固定板的顶部固定安装有第一电机，所述坩埚的内部活动安装有籽晶夹持器，所述籽晶夹持器的顶部固定安装有延伸至坩埚顶部外侧的连接杆，所述连接杆的顶部固定安装有第二电机，所述第二电机的顶部固定安装有延伸至左侧支撑臂内部的升降板，所述升降板的底部且位于左侧支撑臂的内部固定安装有升降杆，所述升降杆远离升降板的一端固定安装有液压缸。

优选的，所述支撑架的底部固定安装有轴承，轴承的内侧半径与第一电机输出轴的半径相适配。

优选的，所述坩埚的外侧开设有与限位环相适配的夹持槽，坩埚的外侧且位于夹持槽的内侧开设有与滚珠相适配的滚槽。

优选的，所述坩埚的顶部开设有与籽晶夹持器相适配的通孔，坩埚的外侧半径与支撑架的内侧半径相适配。

优选的，左侧所述支撑臂的内部开设有与液压缸相适配的安装腔，左侧支撑臂的左侧开设有与升降板相适配的升降滑槽。

优选的，所述第一电机与第二电机均为三相电机，第一电机的输出轴与坩埚的底部固定连接，第二电机输出轴的底部与连接杆固定连接，所述第一电机的功率大于第二电机的功率。

(三)有益效果

与现有技术相比，本实用新型提供了一种砷化镓晶体生长设备，具备以下有益效果：