[发明专利]晶圆几何参数的测量方法有效
申请号: | 202011569046.7 | 申请日: | 2020-12-25 |
公开(公告)号: | CN112729158B | 公开(公告)日: | 2022-12-27 |
发明(设计)人: | 曾安 | 申请(专利权)人: | 南京力安半导体有限公司 |
主分类号: | G01B11/24 | 分类号: | G01B11/24;G01B11/16;G01B11/30;G01B11/06 |
代理公司: | 北京布瑞知识产权代理有限公司 11505 | 代理人: | 秦卫中 |
地址: | 210000 江苏省南京市江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 几何 参数 测量方法 | ||
本申请实施例提供了一种晶圆几何参数的测量方法。晶圆几何参数的测量方法中晶圆形状的测量方法包括:获取标准镜靠近气浮卡盘的表面STF的位置信息;利用气浮卡盘提供的支撑力将晶圆悬浮在气浮卡盘的顶部表面上方第一预定距离D1处,以使得晶圆位于标准镜与气浮卡盘之间,D10;利用干涉仪测量晶圆的正面S正面与标准镜的表面STF之间的第一距离变化ΔS1,其中,晶圆的正面能够反光,晶圆的正面为晶圆远离气浮卡盘的表面;根据STF的位置信息和ΔS1确定晶圆的正面S正面的形状。本申请实施例能够避免夹持工具或卡盘表面的伪像或痕迹等对晶圆几何参数的测量造成的较大测量误差。
技术领域
本申请涉及晶圆测量技术领域,具体涉及一种晶圆几何参数的测量方法。
背景技术
晶圆的几何参数如晶圆形状、晶圆厚度、晶圆平整度等对晶圆的质量有着至关重要的作用,因此对晶圆的几何参数进行测量是评估晶圆的质量的重要工作。通常采用夹持方式将晶圆垂直固定在测量光路中,或者采用真空吸附的方式将晶圆吸附到卡盘上测量晶圆几何参数。
然而,使用上述测量方法具有一定的缺陷,如在夹持方式中,夹持的力度较大容易使晶圆的原始形状发生变化,且由于夹持工具的清洁度难以保证也容易在晶圆上产生碎屑颗粒或其他污染物,在真空吸附方式中,卡盘的表面本身可能有伪像或痕迹等,因而会对晶圆几何参数的测量造成较大的测量误差。
发明内容
有鉴于此,本申请实施例提供一种晶圆几何参数的测量方法,从而避免夹持工具或卡盘表面的伪像或痕迹等对晶圆几何参数的测量造成的较大测量误差。
本申请的第一方面提供了一种晶圆形状的测量方法,包括:获取标准镜靠近气浮卡盘的表面STF的位置信息;利用气浮卡盘提供的支撑力将晶圆悬浮在气浮卡盘的顶部表面上方第一预定距离D1处,以使得晶圆位于标准镜与气浮卡盘之间,D10;利用干涉仪测量晶圆的正面S正面与标准镜的表面 STF之间的第一距离变化ΔS1,其中,晶圆的正面能够反光,晶圆的正面为晶圆远离气浮卡盘的表面;根据STF的位置信息和ΔS1确定晶圆的正面S正面的形状。
在本申请一实施例中,上述获取标准镜靠近气浮卡盘的表面STF的位置信息,包括:利用干涉仪测量标准镜的表面STF与参考物靠近标准镜的表面Sref之间的第二距离变化ΔS2;根据Sref的位置信息和ΔS2确定标准镜靠近气浮卡盘的表面STF的位置信息。
在本申请一实施例中,参考物为参考标准镜,上述利用干涉仪测量标准镜的表面STF与参考物靠近标准镜的表面Sref之间的第二距离变化ΔS2之前,晶圆形状的测量方法还包括:将参考标准镜放置在气浮卡盘的顶部表面上方第二预定距离D2处,以使得参考标准镜位于标准镜和气浮卡盘之间,其中,参考物的平整度小于晶圆的平整度;上述利用干涉仪测量标准镜的表面STF与参考物靠近标准镜的表面Sref之间的第二距离变化ΔS2包括:利用所述干涉仪测量标准镜的表面STF与参考标准镜靠近标准镜的表面STF-ref之间的第二距离变化ΔS2;上述根据Sref的位置信息和ΔS2确定标准镜靠近气浮卡盘的表面STF的位置信息包括:根据STF-ref的位置信息和ΔS2确定标准镜靠近气浮卡盘的表面STF的位置信息。
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