[发明专利]晶圆几何参数的测量方法有效
| 申请号： | 202011569046.7 | 申请日： | 2020-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN112729158B | 公开（公告）日： | 2022-12-27 |
| 发明（设计）人： | 曾安 | 申请（专利权）人： | 南京力安半导体有限公司 |
| 主分类号： | G01B11/24 | 分类号： | G01B11/24;G01B11/16;G01B11/30;G01B11/06 |
| 代理公司： | 北京布瑞知识产权代理有限公司 11505 | 代理人： | 秦卫中 |
| 地址： | 210000 江苏省南京市江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 几何 参数 测量方法 | ||
1.一种晶圆形状的测量方法，其特征在于，包括：
获取标准镜靠近气浮卡盘的表面STF的位置信息，其中，所述标准镜靠近所述气浮卡盘的表面STF的位置信息为常数，或者，所述标准镜靠近所述气浮卡盘的表面STF的位置信息为所述标准镜靠近所述气浮卡盘的表面STF与气浮卡盘的底部表面之间的距离变化；
利用气浮卡盘提供的支撑力将晶圆悬浮在所述气浮卡盘的顶部表面上方第一预定距离D1处，以使得所述晶圆位于所述标准镜与所述气浮卡盘之间，D10；
利用干涉仪测量所述晶圆的正面S正面与所述标准镜的表面STF之间的第一距离变化ΔS1，其中，所述晶圆的正面能够反光，所述晶圆的正面为所述晶圆远离所述气浮卡盘的表面；
根据所述STF的位置信息和所述ΔS1确定所述晶圆的正面S正面的形状。
2.根据权利要求1所述的晶圆形状的测量方法，其特征在于，所述获取标准镜靠近气浮卡盘的表面STF的位置信息，包括：
利用所述干涉仪测量所述标准镜的表面STF与参考物靠近所述标准镜的表面Sref之间的第二距离变化ΔS2；
根据所述Sref的位置信息和所述ΔS2确定标准镜靠近气浮卡盘的表面STF的位置信息。
3.根据权利要求2所述的晶圆形状的测量方法，其特征在于，所述参考物为参考标准镜，所述利用所述干涉仪测量所述标准镜的表面STF与参考物靠近所述标准镜的表面Sref之间的第二距离变化ΔS2之前，还包括：
将参考标准镜放置在所述气浮卡盘的顶部表面上方第二预定距离D2处，以使得所述参考标准镜位于所述标准镜和所述气浮卡盘之间，其中，所述参考标准镜的平整度小于所述晶圆的平整度；
其中，所述利用所述干涉仪测量所述标准镜的表面STF与参考物靠近所述标准镜的表面Sref之间的第二距离变化ΔS2，包括：
利用所述干涉仪测量所述标准镜的表面STF与所述参考标准镜靠近所述标准镜的表面STF-ref之间的第二距离变化ΔS2；
所述根据所述Sref的位置信息和所述ΔS2确定标准镜靠近气浮卡盘的表面STF的位置信息，包括：
根据所述STF-ref的位置信息和所述ΔS2确定标准镜靠近气浮卡盘的表面STF的位置信息。
4.根据权利要求2所述的晶圆形状的测量方法，其特征在于，所述参考物为所述气浮卡盘，所述利用所述干涉仪测量所述标准镜的表面STF与参考物靠近所述标准镜的表面Sref之间的第二距离变化ΔS2，包括：
利用所述干涉仪测量所述标准镜的表面STF与所述气浮卡盘的顶部表面SCK之间的第二距离变化ΔS2，其中，所述气浮卡盘的顶部表面为所述气浮卡盘靠近所述标准镜的表面，所述气浮卡盘的顶部表面能够反光；
其中，所述根据所述Sref的位置信息和所述ΔS2确定标准镜靠近气浮卡盘的表面STF的位置信息，包括：
所述根据所述SCK的位置信息和所述ΔS2确定标准镜靠近气浮卡盘的表面STF的位置信息。
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