[发明专利]光传感器和显示装置有效
申请号: | 202011430485.X | 申请日: | 2020-12-07 |
公开(公告)号: | CN112599630B | 公开(公告)日: | 2022-06-10 |
发明(设计)人: | 蔡广烁 | 申请(专利权)人: | TCL华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L31/113 | 分类号: | H01L31/113;H01L27/144 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 远明 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 传感器 显示装置 | ||
本申请实施例提供一种光传感器和显示装置,该光传感器包括衬底、栅极层、栅极绝缘层、有源层、源漏极层、保护层,其中,光传感器包括光传感器电路,光传感器电路包括光传感器晶体管和开关晶体管,光传感晶体管包括第一有源图案,开关晶体管包括第二有源图案,第一有源图案的材料包括非晶硅,第一有源图案的沟道区的厚度等于或者大于5000埃;本申请实施例通过采用光传感晶体管和开关晶体管形成光传感器电路,并在结构设计中,采用非晶硅作为光传感晶体管的第一有源图案,使得第一有源层图案的沟道区的厚度等于或者大于5000埃,从而提高了光传感晶体管的光生载流子数量,从而使得光传感器的响应较高,提高了指纹或者指纹识别成功率。
技术领域
本申请涉及传感技术领域,尤其是涉及一种光传感器和显示装置。
背景技术
随着电子商务的快速发展,现有线上交易系统为了实现安全性,会采用指纹或者掌纹识别,但现有的指纹识别光学传感器存在成本高,体积大和图像失真等问题,因此会设计基于硅芯片的传感器,但基于硅芯片的传感器容易发生静电击穿,还会受到环境影响,导致基于硅芯片的传感器性能较差,且由于指纹或者指纹的反射光较弱,且指纹间距较小,使得传感器需要在较小的占比面积内实现较高的高光响应,但现有的光传感器在无法满足需求,且在高负压下,现有的光传感器容易出现Poole-Frenkel效应,导致光传感器的明暗电流比和可靠性降低。
所以,现有的指纹识别光传感器存在响应较低,导致识别成功率较差的技术问题。
发明内容
本申请实施例提供一种光传感器和显示装置,用以解决现有的指纹识别光传感器存在响应较低,导致识别成功率较差的技术问题。
本申请实施例提供一种光传感器,该光传感器包括:
衬底;
栅极层,设置于所述衬底一侧;
栅极绝缘层,设置于所述栅极层远离所述衬底的一侧;
有源层,设置于所述栅极绝缘层远离所述栅极层的一侧,所述有源层图案化形成有第一有源图案和第二有源图案;
源漏极层,图案化形成有第一源极、第一漏极、第二源极和第二漏极;
保护层,设置于所述源漏极层上,并形成有过孔;
其中,所述光传感器包括光传感器电路,所述光传感器电路包括光传感晶体管和开关晶体管,所述光传感晶体管包括第一有源图案,所述开关晶体管包括第二有源图案,所述第一有源图案的材料包括非晶硅,所述第一有源图案的沟道区的厚度等于或者大于5000埃。
在一些实施例中,所述第一有源图案的厚度大于所述第二有源图案的厚度,且所述第一有源图案的宽长比等于或者大于所述第二有源图案的宽长比。
在一些实施例中,所述第一有源图案的厚度大于所述第二有源图案的厚度,且所述第一有源图案的体积小于或者等于所述第二有源图案的体积。
在一些实施例中,所述第一有源图案包括非掺杂有源部分和掺杂有源部分,所述非掺杂有源部分包括高速非晶硅部分和低速非晶硅部分,所述高速非晶硅部分的厚度范围为所述低速非晶硅部分的厚度的40至60倍。
在一些实施例中,所述有源层包括第一有源层和第二有源层,所述第一有源层图案化形成有第一有源图案,所述第二有源层图案化形成有第二有源图案。
在一些实施例中,所述光传感器还包括金属图案,所述金属图案通过所述保护层的过孔连接所述第一源极和第二漏极或者连接所述第一漏极和第二源极。
同时,本申请实施例提供一种显示装置,该显示装置包括光传感器和显示面板,所述光传感器包括:
衬底;
栅极层,设置于所述衬底一侧;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的