[发明专利]一种无反射放大器有效
| 申请号： | 202011036651.8 | 申请日： | 2020-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN112152579B | 公开（公告）日： | 2023-10-10 |
| 发明（设计）人： | 邓至贤;钱慧珍;罗讯 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H03F3/45 | 分类号： | H03F3/45 |
| 代理公司： | 成都智弘知识产权代理有限公司 51275 | 代理人： | 丁亮;陈春 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 反射 放大器 | ||
1.一种无反射放大器，其特征在于，所述无反射放大器为单端无反射放大器，所述单端无反射放大器包括高频信号吸收网络、低频信号吸收网络和通带信号放大器；
所述通带信号放大器用于对通带信号进行放大，所述通带信号为放大器依设计所需放大的信号，所述通带信号放大器还包括通带信号选频网络，所述通带信号选频网络用于对放大后的通带信号进行选频和滤波；
所述高频信号吸收网络用于吸收输入信号中的高频信号，所述高频输入信号为信号频率高于所述通带信号的输入信号；
所述低频信号吸收网络用于吸收输入信号中的低频信号，所述低频输入信号为信号频率低于所述通带信号的输入信号。
2.根据权利要求1所述的无反射放大器，其特征在于，
所述高频信号吸收网络包括电感L1-Ln、晶体管M1-Mn、和隔直电容C，所述电感L1-Ln依次串联，所述电感L1远离电感L2的一端连接信号输入端，电感Lk的输出端连接晶体管Mk的栅极，所述晶体管Mk的源极接地，所述晶体管Mk的漏极通过所述隔直电容C与直流电源隔断，其中，1≤k≤n，2≤n；
所述通带信号放大器包括电感Lm和晶体管Mm，所述电感Lm的一端与所述电感Ln相连，所述电感Lm的另一端连接所述晶体管Mm栅极，所述晶体管Mm的源极接地，所述晶体管Mm的漏极连接信号输出端，所述信号输出端与所述隔直电容C远离所述晶体管M1-Mn的一端相连；
所述低频信号吸收网络包括相串联的电感Lz和负载电阻ZL，所述电感Lz远离所述负载电阻ZL的一端连接所述电感Lm远离所述电感Ln的一端。
3.根据权利要求2所述的无反射放大器，其特征在于，所述电感Lm的输出端通过电感与所述晶体管Mm的栅极相连。
4.根据权利要求2所述的无反射放大器，其特征在于，所述隔直电容C通过电感与直流电源相连，所述电感大小被配置为可以实现通带信号选频。
5.根据权利要求2所述的无反射放大器，其特征在于，所述电感Lz的大小被配置为可以隔离通带信号。
6.一种无反射放大器，其特征在于，所述无反射放大器为差分无反射放大器，所述差分无反射放大器包括两个权利要求1-5任一项所述的单端无反射放大器，所述两个单端无反射放大器用于分别处理正负差分信号。
7.根据权利要求6所述的无反射放大器，其特征在于，所述两个单端无反射放大器的信号输出端还配置有差分变压器，所述差分变压器被配置为可以实现通带信号选频功能。
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