[发明专利]显示装置在审
申请号: | 202011028957.9 | 申请日: | 2020-09-27 |
公开(公告)号: | CN112599565A | 公开(公告)日: | 2021-04-02 |
发明(设计)人: | 金永敏;朴镛昇;李紫云;赵玟俊;崔海悧;黄贤旻 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 韩芳;刘灿强 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
1.一种显示装置,所述显示装置包括:
基底;
绝缘层,位于所述基底的顶表面上;
多个发光二极管,位于所述绝缘层上,并且包括彼此分隔开的两个发光二极管,并且在所述两个发光二极管之间具有传输区域;
封装构件,覆盖所述多个发光二极管;以及
后覆盖层,位于所述基底的后表面上,并且包括位于所述传输区域中的第一部分,
其中,所述第一部分包括透明材料。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述后覆盖层的所述第一部分的折射率与所述基底的折射率之间的差为0.5或更小。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述基底的所述后表面包括多个凹坑,并且所述多个凹坑之中的位于所述传输区域中的至少一个凹坑填充有所述第一部分的所述透明材料。
4.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述基底包括玻璃材料和/或聚合物树脂。
5.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述绝缘层包括:
第一绝缘层,位于所述基底的所述顶表面上;
第二绝缘层,位于晶体管的半导体层与栅电极之间,所述晶体管位于所述第一绝缘层上;以及
第三绝缘层,位于所述晶体管与所述多个发光二极管之间,
其中,从所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述第三绝缘层中选择的至少一个包括位于所述传输区域中的通孔。
6.根据权利要求5所述的显示装置,其中,所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述第三绝缘层中的每个包括位于所述传输区域中的通孔,并且
所述通孔之中的具有最小尺寸的通孔的宽度比所述后覆盖层的所述第一部分的宽度小。
7.根据权利要求1至6中的任一项所述的显示装置,其中,所述后覆盖层包括所述第一部分和围绕所述第一部分的第二部分,并且
所述第二部分的厚度比所述第一部分的厚度大,使得所述第一部分与所述第二部分一起在所述后覆盖层中形成阶梯差。
8.根据权利要求7所述的显示装置,其中,所述第一部分与所述第二部分之间的所述阶梯差具有倾斜表面,所述后覆盖层的构成所述倾斜表面的部分的厚度比所述第一部分的所述厚度大并且比所述第二部分的所述厚度小。
9.根据权利要求7所述的显示装置,其中,所述第一部分和所述第二部分彼此分隔开。
10.根据权利要求7所述的显示装置,其中,所述后覆盖层包括:
第一子层,位于所述基底的所述后表面上,并且包括所述第一部分;以及
第二子层,位于所述第一子层上,并且包括与所述传输区域对应的开口。
11.根据权利要求10所述的显示装置,其中,所述第二子层包括与所述第一子层的材料不同的材料。
12.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述封装构件包括玻璃材料的封装基底。
13.根据权利要求12所述的显示装置,所述显示装置还包括在所述基底与所述封装基底之间的空气层。
14.根据权利要求12所述的显示装置,所述显示装置还包括在所述基底与所述封装基底之间的透明材料层。
15.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述封装构件包括薄膜封装层,所述薄膜封装层包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。
16.根据权利要求15所述的显示装置,其中,所述薄膜封装层包括与所述传输区域对应的孔。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的