[发明专利]一种级联梯形拓扑结构的电场感应取能电源电路有效
申请号: | 202010420565.0 | 申请日: | 2020-05-18 |
公开(公告)号: | CN111697824B | 公开(公告)日: | 2021-11-19 |
发明(设计)人: | 曾翔君;艾绍贵;杨正涛;骆一萍 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学 |
主分类号: | H02M3/155 | 分类号: | H02M3/155;H02M1/08 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 李鹏威 |
地址: | 710049 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 级联 梯形 拓扑 结构 电场 感应 电源 电路 | ||
1.一种级联梯形拓扑结构的电场感应取能电源电路,其特征在于,包括:n级级联的取能电路;
第1级取能电路,包括:压敏电阻Z1、电容C1、二极管D1-2、电感L1、储能电容Ce、N-MOS管Q1、续流二极管VD和高频控制电路HFCC;其中,电容C1的一端用于通入微安级电流Idc,Idc为流过电场能量收集器的交流位移电流经H桥整流后得到的直流电流,C1的另一端和第1级取能电路的参考地GND1相连接;压敏电阻Z1并联在电容C1的两端,用于C1的钳位保护;电容C1用于通入Idc的一端与二极管D1-2的阳极相连接,二极管D1-2的阴极与电感L1的一端相连接,电感L1的另一端与储能电容Ce的正极一端相连接,储能电容Ce的负极端与N-MOS管Q1的漏极相连接,N-MOS管Q1的源极作为第1级取能电路的参考地;高频控制电路HFCC用于控制N-MOS管Q1的门极,其输出接Q1门极,使其工作在高频开关状态;续流二极管VD阳极接电解电容Ce的负极,阴极接于二极管D1-2阴极和电感L1一端,用于N-MOS管Q1关断时为电感L1中电流提供流通路径;
第2级取能电路,包括:压敏电阻Z2、电容C2、二极管D2-1、D2-2和D2-3、N-MOS管Q2和第2级低频控制电路LFCC;其中,电容C2的一端接二极管D2-1的阴极,C2的另一端接第2级取能电路的参考地GND2;压敏电阻Z2并联在C2两端,用于C2的钳位保护;二极管D2-1的阳极与第1级取能电路的参考地GND1相连接,阴极与二极管D2-2的阳极相连接,用于防止参考地GND1和第2级发生短路;二极管D2-2的阴极与二极管D2-3的阳极相连接,用于防止下级电路反向给电容C2充电;二极管D2-3的阴极与第1级取能电路的二极管D1-2的阴极和续流二极管VD的阴极以及电感L1的一端相连接;N-MOS管Q2漏极与第1级取能电路的参考地GND1相连接,源极与第2级取能电路参考地GND2相连接;第2级低频控制电路LFCC用于产生N-MOS管Q2的低频驱动信号,当第1级取能电路的电容C1和第2级取能电路的电容C2的电压之和U1+U2低于设定值,同时电容C2电压U2高于另一个设定值时,控制N-MOS管Q2导通;
第3级至第n级取能电路的电路结构相同,n≥3;第n级取能电路包括:压敏电阻Zn、电容Cn、二极管Dn-1、二极管Dn-2、二极管Dn-3、N-MOS管Qn和第n级低频控制电路LFCC;其中,电容Cn一端与二极管Dn-1的阴极相连接,另一端与第n级的参考地GNDn相连接;压敏电阻Zn并联在电容Cn两端,用于电容Cn电压的钳位保护;二极管Dn-1的阳极与第n-1级取能电路的参考地GNDn-1相连接,阴极与电容Cn一端相连,用于防止第n-1级参考地GNDn-1和第n级发生短路;二极管Dn-2阳极与二极管Dn-1阴极相连接,二极管Dn-2阴极与二极管Dn-3阳极相连接,用于防止下级电路反向给电容Cn充电;二极管Dn-3阴极与第n-1级取能电路中的二极管D(n-1)-3相连接;N-MOS管Qn的漏极与第n-1级取能电路的参考地GNDn-1相连接,源极与第n级取能电路的参考地GNDn相连接;低频控制电路LFCC用于产生N-MOS管Qn的低频驱动信号,当第n-1级取能电路的电容Cn-1和第n级取能电路的电容Cn的电压之和Un-1+Un低于设定值,同时电容Cn电压Un大于另一个设定值时,控制N-MOS管Qn导通。
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