[发明专利]一种降低RFID电磁辐射的电路结构及其方法

权利要求书

1.一种降低RFID电磁辐射的电路结构，其特征在于：包括调制解调电路、EMC滤波电路、阻抗匹配网络、反馈网络和天线，UF14芯片RF522及其外围电路集成为调制解调电路，所述的阻抗匹配网络包括电容CF20、CF21、CF22、CF23、CF24、CF25、CF32、CF33，所述的反馈网络包括RF6、RF9、CF31，所述的天线包括RF60、RF61及PCB走线线圈，所述RF522的管脚1、管脚4、管脚5和管脚18均接地，RF522的管脚2、管脚3和管脚15均与VGEN6连接，RF522的管脚10和管脚14均与DGND3连接，RF522的管脚12与VGEN7连接，RF522的管脚6分别接电阻RF25一端和电容CF147一端，所述电阻RF25的另一端与VGEN6连接，所述电容CF147的另一端接地，RF522的管脚16与电容CF29一端连接，所述电容CF29的另一端与DGND3连接，RF522的管脚22分别接电容CF34一端和晶振YF5一端，所述电容CF34的另一端连接电容CF35一端，所述晶振YF5的另一端与电容CF35另一端连接，RF522的管脚32分别与电阻RF63一端和电阻RF64一端连接，所述电阻RF63的另一端与VGEN6连接，所述RF64的另一端接地，所述的EMC滤波电路包括电感LF6、电容CF26、磁珠FA13和电感LF7、电容CF27、磁珠FA15，所述电感LF6一端分别与电容CF26一端、磁珠FA11一端连接，电感LF6另一端接RF522的管脚11TX1，所述电容CF26的另一端与DGND3连接，所述磁珠FA13的另一端分别与电容CF20一端、CF32一端、电阻RF9一端连接，所述电阻RF9的另一端与电容CF31一端连接，所述电容CF31的另一端与电阻RF6一端连接，所述电容CF20的另一端、CF32的另一端均与电容CF22一端、电容CF24一端、电阻RF60一端连接，所述电容CF22的另一端分别与电容CF23一端、电容CF25一端、电容CF24另一端、磁珠FA14一端和DGND3连接，所述电容CF23的另一端分别与电容CF21一端、电容CF33一端、电容CF25另一端、电阻RF61一端连接，所述电容CF21另一端、电容CF33另一端均与磁珠FA15一端连接，所述磁珠FA15另一端分别与电容CF27一端、电感LF7一端连接，电感LF7另一端接RF522的管脚13TX2，所述电容CF27的另一端与DGND3连接，所述电阻RF60的另一端、电阻RF61的另一端和磁珠FA14另一端均连接天线。

2.根据权利要求1所述的一种降低RFID电磁辐射的电路结构，其特征在于：还包括有磁珠FA11、磁珠FA12和电容CF3，所述的磁珠FA11一端与DGND3连接，磁珠FA11的另一端接地，所述的磁珠FA12一端与VGEN6连接，磁珠FA12另一端与电容CF3一端连接，所述电容CF3的另一端接地。

3.根据权利要求1所述的一种降低RFID电磁辐射的电路结构的方法，其特征在于，包括下面的步骤：

步骤一，PCB布板中RF60、RF61与天线距离尽量短，双端网络阻容对称分布，LF6，CF26和LF7，CF27分别靠近RC522芯片引脚的TX1，TX2端；

步骤二，通过RFID天线设计匹配参数计算专用工具软件，计算出与线圈相匹配的等效电阻和电容，根据理论的电阻和电容值进行参数匹配；

步骤三，配置RC522相关芯片内部的寄存器，通过对相关寄存器的配置实现发射功率的调整。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述的步骤二包括下面的步骤：

S11，计算出RFID电路匹配参数的取值范围；

S12，进行天线等效参数测量和计算；

S13，50R匹配电路参数计算；

S14，汇总分析核对计算，得出理论的匹配阻容电感值，根据得出理论的匹配阻容电感值进行实际参数的匹配。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述的步骤三包括下面的内容：

在RC522软件驱动基础上，修改RC522的寄存器GsNReg、RFCfgReg的值，通过修改该值来调整RFID的输出功率。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于：寄存器GsNReg的值取0x10，将RFCfgReg的值取0x4F。