[发明专利]透明基板、显示面板和显示装置在审
申请号: | 202010075672.4 | 申请日: | 2020-01-22 |
公开(公告)号: | CN111244145A | 公开(公告)日: | 2020-06-05 |
发明(设计)人: | 秦元贞 | 申请(专利权)人: | 绵阳京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 王辉;阚梓瑄 |
地址: | 621050 四川省*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 透明 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种透明基板,其特征在于,包括:
层叠设置的多个膜层组,多个膜层组的折射率沿光传播方向依次升高。
2.根据权利要求1所述的透明基板,其特征在于,各个所述膜层组包括至少两个层叠设置的膜层,位于出光侧的膜层的折射率大于或等于位于入光侧的膜层的折射率。
3.根据权利要求2所述的透明基板,其特征在于,多个所述膜层组包括第一膜层组和第二膜层组,所述第二膜层组设于所述第一膜层组的出光面;
所述第一膜层组包括:
第一膜层,具有出光面和入光面;
第二膜层,设于所述第一膜层的出光面;
所述第二膜层组包括:
第三膜层,具有出光面和入光面;
第四膜层,设于所述第三膜层的出光面;
其中,所述第二膜层的折射率大于或等于所述第一膜层的折射率,所述第四膜层的折射率大于或等于所述第三膜层的折射率;所述第三膜层的折射率大于所述第二膜层的折射率。
4.根据权利要求3所述的透明基板,其特征在于,多个所述膜层组还包括第三膜层组,所述第三膜层组设于所述第二膜层组的出光面;
所述第三膜层组包括:
第五膜层,具有出光面和入光面;
第六膜层,设于所述第五膜层的出光面;
其中,所述第六膜层的折射率大于或等于所述第五膜层的折射率,所述第五膜层的折射率大于所述第四膜层的折射率。
5.根据权利要求1所述的透明基板,其特征在于,各个所述膜层组包括多个层叠设置的膜层,多个所述膜层的折射率高低间隔设置;
其中,多个位于相邻两个低折射率膜层中间的高折射率膜层的折射率沿光传播方向依次升高,且多个位于相邻两个高折射率膜层中间的低折射率膜层的折射率相等,且多个所述膜层中最后一个出光的膜层的折射率最高;或多个位于相邻两个低折射率膜层中间的高折射率膜层的折射率相等,且多个位于相邻两个高折射率膜层中间的低折射率膜层的折射率沿光传播方向依次升高,且多个所述膜层中最后一个出光的膜层的折射率最高。
6.根据权利要求5所述的透明基板,其特征在于,多个所述膜层组是第一膜层组和第二膜层组,所述第二膜层组设于所述第一膜层组的出光面;
所述第一膜层组包括第一膜层和第二膜层,所述第二膜层设于所述第一膜层的出光面;
所述第一膜层包括:
第一子膜层,具有出光面和入光面;
第二子膜层,设于所述第一子膜层的出光面;
第三子膜层,设于所述第二子膜层的背离所述第一子膜层的一面;
所述第二膜层组包括第三膜层和第四膜层,所述第四膜层设于所述第三膜层的出光面;
所述第三膜层包括:
第四子膜层,具有出光面和入光面;
第五子膜层,设于所述第四子膜层的出光面;
第六子膜层,设于所述第五子膜层的背离所述第四子膜层的一面;
其中,所述第四膜层的折射率大于所述第五子膜层的折射率,所述第五子膜层的折射率大于所述第二膜层的折射率,所述第二膜层的折射率大于所述第二子膜层的折射率,所述第二子膜层的折射率大于所述第一子膜层的折射率,且所述第六子膜层的折射率、所述第四子膜层的折射率、第三子膜层的折射率和所述第一子膜层的折射率相等;或所述第四膜层的折射率、所述第五子膜层的折射率、所述第二膜层的折射率和所述第二子膜层的折射率相等,所述第二子膜层的折射率大于所述第六子膜层的折射率,且所述第六子膜层的折射率、所述第四子膜层的折射率、第三子膜层的折射率和所述第一子膜层的折射率依次减小。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于绵阳京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司,未经绵阳京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010075672.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:移位寄存器单元、显示面板
- 下一篇:一种显示面板及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的