[发明专利]显示装置在审
申请号: | 202010014389.0 | 申请日: | 2020-01-07 |
公开(公告)号: | CN111435673A | 公开(公告)日: | 2020-07-21 |
发明(设计)人: | 朴应晳;金利受;金钟祐;杨慧仁;尹元珉;李炳德;朱容赞;河载兴 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京金宏来专利代理事务所(特殊普通合伙) 11641 | 代理人: | 郭磊 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
公开了显示装置。显示装置包括限定有第一像素区和第二像素区的第一衬底、包括第一显示元件和第二显示元件的第二衬底、具有第一折射率的第一层和具有第二折射率的第二层。第一衬底包括布置在第一像素区中的第一波长转换层和布置在第二像素区中的第二波长转换层。第一层与第二层之间的全反射临界角小于从第一显示元件发射并且入射到第二波长转换层中的光的入射角。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年1月15日提交到韩国知识产权局的第10-2019-0004979号韩国专利申请的优先权,该韩国专利申请的公开内容通过引用以其整体地并入本文。
技术领域
本发明构思的示例性实施方式涉及具有经改善的图像品质的显示装置及其制造方法。
背景技术
显示装置包括用于表示期望颜色的波长转换构件。波长转换构件包括特定颜色的颜料颗粒或发射特定颜色的光的发光体。在从像素区提供的光被提供给与其相邻的波长转换部的情况下,可能发生光不仅从与像素区对应的波长转换部发射,而且还从相邻的波长转换部发射的颜色混合问题。
发明内容
本发明构思的示例性实施方式提供了具有经改善的图像品质的显示装置和显示装置的制造方法。
根据本发明构思的示例性实施方式,显示装置包括限定有第一像素区和第二像素区的第一衬底、包括第一显示元件和第二显示元件的第二衬底、第一层和第二层。第一显示元件布置在与第一像素区对应的位置处,并且第二显示元件布置在与第二像素区对应的位置处。第一层布置在第一衬底与第二衬底之间。第一层具有第一折射率。第二层布置在第一衬底与第一层之间。第二层具有比第一折射率更低的第二折射率。第一衬底包括基础层、布置在基础层下方并且在第一像素区中的第一波长转换层和布置在基础层下方并且在第二像素区中的第二波长转换层。第一层与第二层之间的全反射临界角小于从第一显示元件发射并且入射到第二波长转换层中的光的入射角。
在示例性实施方式中,第一衬底还包括限定在其中的第三像素区,第二衬底还包括布置在与第三像素区对应的位置处的第三显示元件,并且第一衬底还包括布置在基础层下方并且在第三像素区中的光学透明层。
在示例性实施方式中,全反射临界角小于从第一显示元件、第二显示元件和第三显示元件中的一个发射并且入射到第一波长转换层、第二波长转换层和光学透明层中不与第一显示元件、第二显示元件和第三显示元件中的一个对应的一个中的光的最小入射角。
在示例性实施方式中,第一衬底还包括覆盖第一波长转换层、第二波长转换层和光学透明层的保护层。保护层布置在第二层与第一波长转换层、第二波长转换层和光学透明层之间。
在示例性实施方式中,第一显示元件、第二显示元件和第三显示元件中的每个包括第一电极、第二电极和布置在第一电极与第二电极之间并且提供源光的发射层。第一显示元件、第二显示元件和第三显示元件的发射层彼此连接。
在示例性实施方式中,光的入射角为其中,DT1为发射层与第二波长转换层之间的距离,并且DT2为第一波长转换层与第二波长转换层之间的距离。
在示例性实施方式中,光学透明层包括基础树脂和分散在基础树脂中的散射物体。第一波长转换层包括转换源光的波长的第一发光体,并且第二波长转换层包括转换源光的波长并且与第一发光体不同的第二发光体。
在示例性实施方式中,源光为蓝色光。
在示例性实施方式中,发射层包括至少两个子发射层。
在示例性实施方式中,第一衬底还包括布置在基础层与第一波长转换层之间的第一滤色器层、布置在基础层与第二波长转换层之间的第二滤色器层和布置在基础层与光学透明层之间的第三滤色器层。
在示例性实施方式中,第一滤色器层为红色滤色器层,第二滤色器层为绿色滤色器层,并且第三滤色器层为蓝色滤色器层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的