[其他]可变电容元件

说明书

本实用新型提供可变电容元件。可变电容元件具备多个电阻元件，该多个电阻元件构成对串联连接的多个可变电容部(C1～C8)的电极分别施加控制电压的路径。这些电阻元件包含第1分配电阻元件(R11～R14)、第2分配电阻元件(R21～R25)、第1共用电阻元件(R1)和第2共用电阻元件(R2)。第1共用电阻元件(R1)和第2共用电阻元件(R2)的与通电方向垂直的垂直截面积比第1分配电阻元件(R11～R14)和第2分配电阻元件(R21～R25)的与通电方向垂直的垂直截面积大。通过该构造，构成针对可变电容部施加控制电压的施加路径的耐ESD特性较高的可变电容元件。

技术领域

本实用新型涉及电容元件，特别是，涉及在基板上具备多个电容形成部和形成对这些多个电容形成部施加控制电压的电压路径的电阻元件的可变电容元件。

背景技术

以往，在专利文献1等中示出一种可变电容元件，该可变电容元件具有：与控制电压的施加对应地使介电常数变化的电介质层、隔着该电介质层的电极、以及对这些电极施加控制电压的布线。这样的可变电容元件具备薄膜的强电介质，采用金属、强电介质材料、金属的层叠构造(MIM 构造)，以在低电压下得到较大的电容变化量。

专利文献1：日本特开2005－064437号公报

专利文献2：国际公开第2014/155862号

与由MEMS得到的可变电容元件或可变电容二极管这样的半导体的可变电容元件相比，具备强电介质膜的可变电容元件的缺点在于，耐ESD (Electro-Static Discharge：静电放电)特性较低。

为了提高控制灵敏度(电容值变化与控制电压变化之比)，使强电介质膜的膜厚变薄是有效的，但伴随着强电介质膜的薄膜化，耐ESD特性劣化。即，若产生超过耐ESD特性的ESD，则其浪涌施加给强电介质膜，则强电介质膜被破坏绝缘。

另一方面，在专利文献2中示出一种可变电容元件，设置电容比可变电容部大的电容器，使由ESD形成的浪涌电流绕过该电容器。在针对ESD 的强电介质膜的保护的方面，如专利文献2所示，设置旁通路径是有效的。

然而，在可变电容元件中需要针对可变电容部施加控制电压的施加路径，但以往没有保护该控制电压的施加路径不受ESD影响这种观点。

实用新型内容

本实用新型的目的在于，提供一种可变电容元件，针对可变电容部施加控制电压的施加路径的耐ESD特性较高。

作为本实用新型的一例的可变电容元件具备：串联连接的多个可变电容部，其分别由根据电场强度决定介电常数的电介质层和隔着该电介质层的电极构成；以及多个电阻元件，其构成对该多个可变电容部的电极施加控制电压的路径。多个电阻元件通过相对于基板形成电阻膜图案而构成，多个电阻元件包含：第1端与多个可变电容部的各电极分别连接、第2端与第1共用连接部连接的第1分配电阻元件；第1端与多个可变电容部的各电极分别连接、第2端与第2共用连接部连接的第2分配电阻元件；第 1端与第1共用连接部连接、第2端与第1控制电压输入端子连接的第1 共用电阻元件；以及第1端与第2共用连接部连接、第2端与第2控制电压输入端子连接的第2共用电阻元件。而且，第1共用电阻元件和第2共用电阻元件的与通电方向垂直的垂直截面积比第1分配电阻元件和第2分配电阻元件的与通电方向垂直的垂直截面积大。

也可以是，所述多个电阻元件中的所述第1分配电阻元件、所述第2 分配电阻元件、所述第1共用电阻元件和所述第2共用电阻元件分别由具有曲部的电阻膜图案构成，所述第1共用电阻元件和所述第2共用电阻元件的电阻膜图案的曲部的最小曲率半径比所述第1分配电阻元件和所述第2分配电阻元件的电阻膜图案的最小曲率半径大。

也可以是，该可变电容元件具备连接在所述第1共用连接部与所述第 2共用连接部之间的浪涌电流旁通用的电容器。