[发明专利]茄科植物的苗的栽培装置以及栽培方法

说明书

本发明涉及茄科植物的苗的栽培装置以及栽培方法。栽培装置是栽培茄科植物的苗且具备照明装置的栽培装置，所述照明装置具有400nm以上且小于500nm的波长区域亦即波长区域A、和500nm以上且小于700nm的波长区域亦即波长区域B，所述波长区域A中的光子通量密度为100μmol/msupgt;2/supgt;/sec以上，并且在将波长区域A中的光子通量密度与波长区域B的光子通量密度的合计设为100％的情况下的、波长区域A中的光子通量密度为70％以上且小于99％。

技术领域

本发明涉及用于使用人工光源栽培茄科植物的苗的栽培装置以及栽培方法，更详细地涉及抑制栽培茄科植物的苗时产生生长灾害的栽培装置以及栽培方法。

背景技术

在封闭式环境下使用人工光源栽培植物的方式是使用照明装置、空调装置、二氧化碳施肥装置、浇水装置等来控制植物的栽培环境的植物栽培方法。因此在将该方式用于植物的苗生产的情况下，栽培所需的空间能够将光质、光照射强度、照射时间、温度、湿度、二氧化碳浓度、浇水量、施肥量等各种环境条件调节为该植物苗的生长最佳的状态。

以往，对于作为人工光源使用了LED照明的封闭式环境下的栽培，关于叶菜类的栽培有很多实用例、研究报告。然而，关于果蔬类的苗、特别是西红柿苗，使用LED照明的封闭式环境下的栽培比较困难。

近年来，在果蔬类的苗的栽培中也进行了使用LED照明的方式的研究。例如在专利文献1(日本特开2016-202072号公报)中作为用于向西红柿苗照射光的发光装置，公开了一种将蓝色LED、红色发光荧光体以及绿色发光荧光体进行组合混色的发光装置，该发光装置的特征在于，发光光谱在420～460nm的范围具有第一峰值波长，在520～570nm的范围具有第二峰值波长，在610～660nm的范围具有第三峰值波长，上述第三峰值波长的相对发光强度值是上述第二峰值波长的相对发光强度值的1.2倍以上且1.6倍以下。

然而，大量报告了在将果蔬类的苗在封闭式环境下进行栽培的情况下，苗的叶、茎等产生突起状的疙瘩，若重病化则发生叶的萎缩、直到黄化、坏死、落叶的症状的所谓的“叶结症”或者“水疱病”、或被称为“膨大(intumescence)”的生长灾害的产生。

作为抑制果蔬类的苗所产生的灾害的方法，例如在专利文献2(日本特开2016-202050号公报)中公开了一种抑制植物的生理灾害用光源单元，其具备：照射具有在400nm以上且700nm以下的波段至少存在一个峰值的光谱的光的主光源、和照射具有在280nm以上且小于400nm的波段至少存在一个峰值的光谱的光的辅助光源。

专利文献1：日本特开2016-202072号公报

专利文献2：日本特开2016-202050号公报

如专利文献2所示，通过照射紫外线来抑制生长灾害的方法，紫外线有可能对人体、植物有害。另外，紫外线有可能促进栽培中使用的材料的劣化、或有可能使植物产生紫外线灾害。本发明的目的在于提供一种能够解决上述问题、抑制叶结症的产生、稳定地栽培品质良好的茄科植物的苗的栽培装置以及栽培方法。

以往，在使用人工光源进行植物栽培的情况下，通常使用主要射出作为光敏色素的吸收波长的红色光的照明。本申请的发明人们为了解决上述课题进行反复研究的结果发现了以下方法，即、关于在栽培茄科植物的苗的栽培装置中使用的照明装置，通过使用以蓝色光的波长区域中的光子通量密度为优勢的特定的光源装置，由此抑制茄科植物的苗的叶结症的产生。即本发明基于上述见解，以下述内容为主旨。

发明内容