[发明专利]碳基直接镀覆工艺

权利要求书

1.一种制备非导电基底以允许在其上进行金属镀覆的方法，所述方法包括以下步骤：

a)用整孔剂对所述非导电基底进行整孔；

b)将液体碳基分散体施加到所述经整孔的非导电基底上以在所述经整孔的非导电基底上形成碳涂层，其中所述碳基分散体包括分散在液体溶液中的碳或石墨颗粒；以及

c)蚀刻所述基底，

其中在所述液体碳基分散体在所述非导电基底上进行干燥之前执行所述蚀刻步骤。

2.根据权利要求1所述的方法，在步骤c)之后还包括干燥所述基底和碳基分散体以在所述基底上形成导电碳涂层的步骤。

3.根据权利要求2所述的方法，在步骤c)之后还包括将导电金属电镀到所述基底上的步骤。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述整孔剂包括具有至少100,000g/mol的分子量的整孔物质。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述整孔物质具有至少500,000g/mol的分子量。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述整孔物质具有至少1,000,000g/mol的分子量。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述基底包括印刷电路板或印刷线路板。

8.根据权利要求1所述的方法，其中通过将所述基底浸入所述整孔物质中至少约20秒，使所述基底与所述整孔物质接触。

9.根据权利要求3所述的方法，其中在所述蚀刻步骤之后并且在所述电镀步骤之前干燥所述碳基分散体。

10.根据权利要求3所述的方法，其中在所述蚀刻步骤或所述镀覆步骤之前不干燥所述碳基分散体。

11.根据权利要求3所述的方法，其中在所述蚀刻步骤之后并且在所述电镀步骤之后干燥所述碳基分散体。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述碳基分散体包含一种或多种能够分散所述碳或石墨颗粒的表面活性剂。

13.根据权利要求1所述的方法，其中所述碳或石墨颗粒的平均粒径介于约0.05微米与约3.0微米之间。

14.根据权利要求1所述的方法，其中所述碳或石墨颗粒在所述碳基分散体中的浓度小于约15重量％。

15.根据权利要求1所述的方法，其中介于约125°F与约200°F之间的温度将所述基底干燥约20秒至约90秒。

16.根据权利要求15所述的方法，其中将所述基底干燥约30秒至约60秒。

17.根据权利要求15所述的方法，其中介于约150°F至约175°F之间的温度将所述基底干燥。

18.根据权利要求1所述的方法，其中将所述基底的所述金属部分用蚀刻剂蚀刻，所述蚀刻剂选自由以下项组成的组：基于过硫酸钠的蚀刻剂、基于过氧化物-硫酸的蚀刻剂、基于氯化铜的蚀刻剂和基于三价铁的蚀刻剂。