[发明专利]一种集成电路高频电参数特性全自动测试装置有效
申请号: | 201911345128.0 | 申请日: | 2019-12-24 |
公开(公告)号: | CN111025114B | 公开(公告)日: | 2021-10-19 |
发明(设计)人: | 游诗勇 | 申请(专利权)人: | 福建福顺半导体制造有限公司 |
主分类号: | G01R31/26 | 分类号: | G01R31/26;G01R31/327 |
代理公司: | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人: | 汤东凤 |
地址: | 350000 福建省福州*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 集成电路 高频 参数 特性 全自动 测试 装置 | ||
本发明公开了一种集成电路高频电参数特性全自动测试装置,包括测试机和测试板卡,测试板卡与测试机相连接,所述测试板卡包括CD4069反相器、三极管Q1、三极管Q2和CD4541计数器,CD4069反相器的引脚1连接电阻R1,电阻R1的另一端连接电容C1和电阻R2,电阻R2的另一端连接CD4069反相器的引脚2和CD4069反相器的引脚3,电容1的另一端连接CD4069反相器的引脚4和CD4069反相器的引脚5,CD4069反相器的引脚6连接三极管Q1的基极和三极管Q2的基极,本发明以最低成本测试MOSFET的高频工作特性,结合DTS‑1000测试机,可用作量产高效率测试,同时维护成本也大大降低。
技术领域
本发明涉及电路测试技术领域,具体是一种集成电路高频电参数特性全自动测试装置。
背景技术
MOSFET的高速开关特性非常敏感依赖于测试电路上的杂散元件(电容,电感和电阻的阻抗)。其结果是具有相同切换数据的设备却得到了不可解释的不同开关时间。ESR受栅极处理工艺,如多晶硅掺杂浓度,镀金属,接触电阻等工艺影响,所有这些都影响着高速开关性能。由于处理工艺的细微变化通常会导致ESR显著幅度的增加。因此ESR的测量为业界提供了一种测量高速切换一致性的测试技术。
本发明主要用于测试MOSFET在高频信号下的开关特性(主要以1MHZ为主),看器件是否可以在高频下正常开关动作,频率可以通过CD4069 RC进行调整,配合DTS-1000测试机,可用于量产测试。
发明内容
本发明的目的在于提供一种集成电路高频电参数特性全自动测试装置,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:
一种集成电路高频电参数特性全自动测试装置,包括测试机和测试板卡,测试板卡与测试机相连接,所述测试板卡包括CD4069反相器、三极管Q1、三极管Q2和CD4541计数器,CD4069反相器的引脚1连接电阻R1,电阻R1的另一端连接电容C1和电阻R2,电阻R2的另一端连接CD4069反相器的引脚2和CD4069反相器的引脚3,电容C1的另一端连接CD4069反相器的引脚4和CD4069反相器的引脚5,CD4069反相器的引脚6连接三极管Q1的基极和三极管Q2的基极,CD4069反相器的引脚14连接电源VCC,CD4069反相器的引脚8-13均接地,三极管Q1的集电极连接三极管Q2的集电极和电源VCC,三极管Q1的发射极连接三极管Q2的发射极、电阻R4和电阻R5,电阻R4的另一端接地,电阻R5的另一端连接MOS管NMOS-2的栅极,MOS管NMOS-2的源极接地,MOS管NMOS-2的漏极连接电阻R6和CD4541计数器的引脚3,CD4541计数器的引脚5-7均接地,CD4541计数器的引脚12-14均连接电源VCC,CD4541计数器的引脚8输出测试结果信号到测试机。
作为本发明的进一步技术方案:所述测试机采用DTS-1000量产测试机。
作为本发明的进一步技术方案:所述DTS-1000量产测试机包括用于测试IC各项电性参数的主机和Interface通讯卡。
作为本发明的进一步技术方案:所述三极管Q1的型号为2N7002Z_TO92。
作为本发明的进一步技术方案:所述三极管Q2的型号为2N7002Z_TO92。
作为本发明的进一步技术方案:所述CD4069反相器的输出信号为1Mhz高频驱动信号。
作为本发明的进一步技术方案:上电后,通过CD4069反相器产生1Mhz高频驱动信号,通过三极管Q1、三极管Q2输出,提高驱动能力以驱动MOS管NMOS-2,MOS管NMOS-2正常输出方波信号,经CD4541计数器计数后在PIN8输出高电平,反馈到DTS-1000量产测试机,若CD4541无法接收到高电平,则说明MOS管NMOS-2无法在1MHZ下正常进行开关动作。
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