[发明专利]用于抑制准光腔简并高次模的样品台及测试方法和应用

权利要求书

1.一种用于抑制准光腔简并高次模的样品台，其特征在于：包括介质基板(4)，所述介质基板(4)中心设有圆形金属覆层(3)，所述金属覆层(3)上刻有微波匹配电路结构(1)，所述微波匹配电路结构(1)为圆形金属覆层(3)圆心两侧对称设置的两条平行于TEM00q模式电场方向的缝隙，介质基板上设有圆形固定孔(2)，固定孔(2)用于通过紧固件将样品台固定在准光腔上，所述金属覆层(3)厚度大于工作频点电磁波的趋肤深度，介质基板(4)材料的损耗角正切值高于1e-4。

2.根据权利要求1所述的用于抑制准光腔简并高次模的样品台，其特征在于：介质基板(4)为厚度大于2mm的FR-4硬质介质基板。

3.根据权利要求1所述的用于抑制准光腔简并高次模的样品台，其特征在于：金属覆层(3)表面设有镀银层。

4.根据权利要求1所述的用于抑制准光腔简并高次模的样品台，其特征在于：固定孔(2)为4个，对称设置于介质基板(4)的四角。

5.根据权利要求1所述的用于抑制准光腔简并高次模的样品台，其特征在于：金属覆层(3)为直径50mm的圆形，金属覆层(3)圆心两侧平行于TEM00q模式电场方向对称开有两条宽度为0.3mm的缝隙，每条缝隙中点距离圆心垂直距离为5mm。

6.根据权利要求3所述的用于抑制准光腔简并高次模的样品台，其特征在于：金属覆层(3)表面的镀银层厚度大于介质谐振器工作频点电磁波的趋肤深度，镀银层的表面粗糙度优于7级。

7.使用权利要求1至6任意一项所述样品台进行复介电常数测试的方法，其特征在于包括如下步骤：

(1)将样品台固定在准光腔上，先通过测试空腔的TEM00p工作模式的谐振频率与Q值，对腔体进行空腔校准；

(2)将待测材料加工为与样品台表面金属覆层的直径相同，将待测样品置于金属覆层表面，并与其重合；

(3)测出加载样品之后的TEM00p工作模式的谐振频率与Q值，通过求解特征方程进而获得复介电常数的值；样品台表面刻有微波匹配电路结构，使TEM00p模式附近的非TEM00p模式由于不匹配而抑制掉，进而使TEM00p模工作频率附近的频谱恢复为仅有TEM00p模引起的真实的对称单峰，使其满足求解复介电常数过程中，仅采用TEM00p模场分布进行推导的前提，使测试结果与计算公式匹配，提高采用准光腔法复介电常数测试的精度。

8.权利要求1至6任意一项所述用于抑制准光腔简并高次模的样品台在测试复介电常数方法中的应用。