[发明专利]亥姆霍兹共振器及基于其的低频宽带吸声降噪结构

权利要求书

1.一种亥姆霍兹共振器，其特征在于，包括亥姆霍兹共振器本体，所述亥姆霍兹共振器本体内设置有至少一个内嵌管，所述亥姆霍兹共振器本体开口内侧面包裹在一个所述内嵌管外侧；

其中，所有所述内嵌管之间不接触。

2.根据权利要求1所述的亥姆霍兹共振器，其特征在于，所述亥姆霍兹共振器本体内还包括用于对所述亥姆霍兹共振器本体内腔进行分割的隔板，每个所述隔板上贯穿设置有一个内嵌管。

3.根据权利要求1所述的亥姆霍兹共振器，其特征在于，所述亥姆霍兹共振器本体开口内侧面包裹的所述内嵌管高度大于等于所述亥姆霍兹共振器本体开口厚度。

4.根据权利要求1所述的亥姆霍兹共振器，其特征在于，贯穿设置于所述隔板上的内嵌管高度大于等于所述隔板厚度。

5.一种基于亥姆霍兹共振器的低频宽带吸声降噪结构，其特征在于，包括刚性的框架，所述框架内并列设置有至少两个如权利要求1-4任意一项所述的亥姆霍兹共振器。

6.根据权利要求5所述的低频宽带吸声降噪结构，其特征在于，所述亥姆霍兹共振器的主要吸声频率的吸声效率在20％-80％之间。

7.根据权利要求6所述的低频宽带吸声降噪结构，其特征在于，所述框架内设置的所有所述亥姆霍兹共振器长度相同。

8.根据权利要求7所述的低频宽带吸声降噪结构，其特征在于，在并列设置的所述亥姆霍兹共振器上方预设距离设置有一层微穿孔板，以实现多个所述亥姆霍兹共振器与所述微穿孔板之间的串联耦合。

9.根据权利要求8所述的低频宽带吸声降噪结构，其特征在于，还包括设置于并列设置的所述亥姆霍兹共振器上表面和所述微穿孔板下表面的吸声海绵层。