[发明专利]一种具有层状开裂微结构的高活性g-C3N4光催化材料的制备方法在审
申请号: | 201910660218.2 | 申请日: | 2019-07-22 |
公开(公告)号: | CN110433840A | 公开(公告)日: | 2019-11-12 |
发明(设计)人: | 董鹏玉;毛健;奚新国;李梦妮;孟承启;罗虎;陆聪 | 申请(专利权)人: | 盐城工学院 |
主分类号: | B01J27/24 | 分类号: | B01J27/24;B01J35/10;C02F1/30;C02F101/22 |
代理公司: | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人: | 孟捷 |
地址: | 224051 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 微结构 光催化材料 高活性 乙基 咪唑 光生电子 改性 坩埚 制备 迁移 高温煅烧过程 光催化活性 还原性气体 可见光吸收 光学吸收 混合研磨 能带结构 微观结构 光响应 马弗炉 盖子 放入 修饰 煅烧 尿素 冷却 合成 燃烧 释放 调控 | ||
本发明公开了一种具有层状开裂微结构的高活性g‑C3N4光催化材料的制备方法,将尿素和2‑乙基咪唑混合研磨后,放入坩埚中盖上盖子,再将坩埚置于马弗炉中升温至520~580℃煅烧,然后,冷却至室温,即得改性后的具有层状开裂微结构的高活性g‑C3N4光催化材料;本发明在合成g‑C3N4的过程中,加入2‑乙基咪唑,利用2‑乙基咪唑在高温煅烧过程中燃烧释放的NO和CO等还原性气体对g‑C3N4的微观结构进行修饰和改性,从而调控g‑C3N4的能带结构以拓宽光响应范围促进可见光吸收,并促进光生电子的迁移速率;g‑C3N4具有层状开裂微结构,导致其比表面积增大。在拓宽光学吸收范围、促进光生电子迁移速率以及增大比表面积的共同作用下,光催化活性大大增强。
技术领域
本发明属于光催化材料技术领域,特别涉及一种具有层状开裂微结构的高活性g-C3N4光催化材料的制备方法。
背景技术
随着全球化石能源的快速消耗,环境逐渐恶化。现在生活废水中最常见的污染物就有六价铬(Cr6+),所以人类研究用光催化技术还原Cr6+。石墨相氮化碳(g-C3N4)是近年来迅速发展起来的一种新型可见光催化剂,受到了人类的广泛关注。g-C3N4是一种富电子有机半导体的非金属光催化剂,在紫外和可见光下能够产生氢气和氧气。在分别存在适当的牺牲电子受体或供体的情况下,g-C3N4催化剂不需要金属促进剂,并且对于减少的析氢反应或氧化水氧释放反应具有催化活性。福州大学的付贤智院士研究所与德国马克斯普朗克研究所合作,对g-C3N4光催化研究进行了大量有益的研究。
近年来,g-C3N4因为其具有合适的带隙、低成本、稳定性高等独特的特性受到了广泛的关注。主要包括:光催化制氢、降解有机污染物和光催化还原。然而,g-C3N4光催化剂仍然存在一些问题,比如它只能吸收波长小于460nm的可见光,而对于460nm以上的可见光却没有吸收,因此,需要进一步拓宽其光谱吸收范围;另外,g-C3N4光催化剂的电子迁移及分离效率也比较低,有所进一步提高,进而提高其光催化活性。为了更好地发挥g-C3N4光催化剂的作用,研究人员通过一些常用的方法,包括贵金属改性、非金属掺杂、表面复合半导体等以提高g-C3N4的光催化性能。
人们在提高g-C3N4光催化活性方面进行了大量的研究,比如采用非金属掺杂提高其光催化活性:专利号为CN201711182393.2的中国专利公开了一种氮掺杂环状空心纳米炭材料的制备方法。该方法首先将含氮聚合物包覆在环状g-C3N4模板上,随后对其进行高温煅烧,高温使g-C3N4分解,产生大量含氮气体,可作为造孔剂和氮源,同时聚合物碳化得到氮掺杂环状空心纳米炭材料。该材料结构独特、具有高氮含量,在超级电容器、锂离子电池、电化学催化剂等方面具有广阔的应用前景。该方法具有操作简便、容易工业化生产、且对环境污染小的特点,是一种重要的氮掺杂环状空心纳米炭材料的制备方法。另外,也可以通过贵金属改性,例如专利号CN201710535288.6的中国专利公开了一种改性g-C3N4光催化剂及其制备方法。其表面具有-NH2,-NH-及酚羟基等功能化基团,对水体中Cr(VI)具有较高的富集能力,从而提升了催化剂光催化还原水体Cr(VI)的效率。
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