[发明专利]静电保护装置及显示面板有效
申请号: | 201910369068.X | 申请日: | 2019-05-05 |
公开(公告)号: | CN110085585B | 公开(公告)日: | 2021-02-02 |
发明(设计)人: | 肖翔 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 静电 保护装置 显示 面板 | ||
本申请实施例公开了一种静电保护装置和显示面板,该静电保护装置包括第一放电电路和第二放电电路;第一放电电路的输入端与显示面板的显示电路连接,第一放电电路的输出端与静电释放线连接,第一放电电路用于在显示面板的显示电路产生静电时将静电释放至静电释放线,其中,显示电路位于显示面板的显示区域;第二放电电路的输入端与显示电路的外部信号输入端连接,第二放电电路的输出端与静电释放线连接,第二放电电路在外部信号输入端产生静电时将静电释放至静电释放线,以避免外部信号输入端上产生的静电进入显示电路。本申请能够释放显示电路内部的静电,且防止外部静电进入到显示电路的内部,从而避免显示面板的损坏。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,具体涉及一种静电保护装置及显示面板。
背景技术
在显示面板的生产制程以及测试使用中,由于某些外在因素,通常会在面板中产生静电荷的积累。当静电荷积累到一定数量之后,将会产生放电(ESD,ElectrostaticDischarge)。
静电放电发生时的时间很短,大量的电荷在很短的时间内发生转移将产生极高的电流,击穿半导体器件,或者产生足够的热量融化半导体器件,这种危害通常在不易察觉的情况下引起部分元器件的降级或者报废,带来较大的经济损失。因此,静电放电会给电子产品带来致命的危害,它不仅降低了产品的可靠性,还增加了维修成本。每年静电放电会给电子制造工业带来数十亿美元的损失。
现有的显示面板虽然设有防静电单元,但是只能对显示面板中显示电路内的静电进行释放,而无法阻止静电从外部进入显示电路内,从而对显示电路造成损坏。
也即,现有技术中,静电容易进入显示电路内部对显示面板造成损坏。
发明内容
本申请实施例提供一种静电保护装置及显示面板,能够释放显示电路内部的静电,且防止外部静电进入到显示电路的内部,从而避免显示面板的损坏。
为解决上述问题,第一方面,本申请提供一种静电保护装置,所述静电保护装置包括第一放电电路和第二放电电路;
所述第一放电电路的输入端与显示面板的显示电路连接,所述第一放电电路的输出端与静电释放线连接,所述第一放电电路用于在所述显示面板的显示电路产生静电时将静电释放至所述静电释放线,其中,所述显示电路位于所述显示面板的显示区域;
所述第二放电电路的输入端与所述显示电路的外部信号输入端连接,所述外部信号端用于向所述显示电路输入信号,所述第二放电电路的输出端与所述静电释放线连接,所述第二放电电路在所述外部信号输入端产生静电时将静电释放至所述静电释放线,以避免所述外部信号输入端上产生的静电进入所述显示电路。
其中,所述第二放电电路包括第一晶体管和第二晶体管,所述第一晶体管的栅极和漏极与所述外部信号输入端连接,所述第一晶体管的源极与所述静电释放线连接,所述第一晶体管在所述第一晶体管的栅极和所述第一晶体管的源极的电压差超过第一预设阈值时导通,以释放所述外部信号输入端上的正电荷;
所述第二晶体管的栅极和漏极与所述静电释放线连接,所述第二晶体管的源极与所述外部信号输入端连接,所述第二晶体管在所述第二晶体管的栅极和所述第二晶体管的输出端的电压差超过第二预设阈值时导通,以释放所述外部信号输入端上的负电荷。
其中,所述第二放电电路还包括电压延迟单元和第三晶体管,
所述第一晶体管的源极、所述电压延迟单元的第一端以及所述第三晶体管的源极连接,所述第一晶体管通过所述电压延迟单元和所述第三晶体管与所述静电释放线连接,进而在静电产生时导通,以通过电压延迟单元和第三晶体管将静电释放至所述静电释放线;
所述第三晶体管的栅极与所述电压延迟单元的第二端连接,所述第三晶体管的漏极与所述静电释放线连接;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的