[发明专利]OLED显示面板有效
申请号: | 201910366398.3 | 申请日: | 2019-05-05 |
公开(公告)号: | CN110120408B | 公开(公告)日: | 2021-12-03 |
发明(设计)人: | 刘扬 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/50 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | oled 显示 面板 | ||
本发明提供一种OLED显示面板,包括对盒设置的基板、盖板以及形成于盖板靠近基板一侧的多个辅助电极,基板包括衬底、驱动电路层、像素定义层、发光材料层及公共电极,驱动电路层形成于衬底上;像素定义层形成于驱动电路层上,用于定义多个子像素区,像素定义层包括多个像素定义区,在至少一个像素定义区内,像素定义层远离驱动电路层的表面形成有凸起;发光材料层形成于像素定义层定义的子像素区内;公共电极形成于发光材料层和像素定义层上;多个辅助电极对应于多个像素定义区设置,在对应于每个形成有凸起的像素定义区内,辅助电极和公共电极有至少两个电性连接面。由于辅助电极和公共电极有至少两个电性连接面,从而提高了两者连接良率。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种OLED显示面板。
背景技术
在现有的顶发射结构的OLED(Organic Light Emitting Diode,有机发光二极管)器件中,通常在公共电极上方设置辅助电极,以减小公共电极阻抗,缓解IR-drop(电源压降)。
现有的OLED显示面板的结构如图1所示,包括对盒设置的基板100、盖板200以及形成于盖板200上的辅助电极300,基板100包括衬底110、驱动电路层120、像素定义层130、阳极140、发光功能层150、公共电极160,像素定义层130包括多个像素定义区1300,在对应于每个像素定义区1300内,公共电极160与辅助电极300有一个电性连接的面400,这种平面对平面的电性连接方式容易出现连接不良,使得辅助电极300未与公共电极160连接,不能起到减小公共电极160阻抗,降低IR-drop的作用。
因此,现有OLED显示面板存在公共电极和辅助电极连接不良的技术问题,需要改进。
发明内容
本发明提供一种OLED显示面板,以缓解现有OLED显示面板中公共电极和辅助电极连接不良的技术问题。
为解决上述问题,本发明提供的技术方案如下:
本发明提供一种OLED显示面板,包括对盒设置的基板、盖板以及形成于所述盖板靠近所述基板一侧的多个辅助电极,所述基板包括:
衬底;
驱动电路层,形成于所述衬底上;
像素定义层,形成于所述驱动电路层上,用于定义多个子像素区,所述像素定义层包括多个像素定义区,在至少一个像素定义区内,像素定义层远离所述驱动电路层的表面形成有凸起;
发光材料层,形成于所述像素定义层定义的子像素区内;
公共电极,形成于所述发光材料层和所述像素定义层上;
其中,所述多个辅助电极对应于所述多个像素定义区设置,在对应于每个形成有凸起的像素定义区内,所述辅助电极和所述公共电极有至少两个电性连接面。
在本发明的OLED显示面板中,在对应于每个形成有凸起的像素定义区内仅设置一个辅助电极。
在本发明的OLED显示面板中,在对应于每个形成有凸起的像素定义区内,至少设置有第一辅助电极和第二辅助电极,所述第一辅助电极和所述第二辅助电极均与所述盖板连接。
在本发明的OLED显示面板中,在对应于形成有凸起的像素定义区内,一部分对应每个像素定义区内仅设置一个辅助电极,另一部分对应每个像素定义区内至少设置有第一辅助电极和第二辅助电极,所述第一辅助电极和所述第二辅助电极均与所述盖板连接。
在本发明的OLED显示面板中,在所述至少一个像素定义区内,像素定义层一体成型。
在本发明的OLED显示面板中,在所述至少一个像素定义区内,像素定义层至少包括第一分像素定义层和第二分像素定义层,所述第一分像素定义层和所述第二分像素定义层均设置于所述驱动电路层上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的