[发明专利]二氧化钒基单晶体的制备方法及二氧化钒基单晶体

权利要求书

1.一种制备二氧化钒基单晶体的方法，所述方法包括：

在流动惰性气体气氛中，将包含钒源的原料加热至950℃至1150℃之间的温度，并保持24小时至72小时，随后以不高于20℃/分钟的速度降温至室温，以得到二氧化钒基单晶体，

其中，所述钒源是除钒之外不包含其他金属元素的含氧化合物，并且其中的钒为+4或+5价，氧与钒的摩尔比为2∶1以上。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述钒源选自由以下各项组成的组：钒的氧化物、含氧的钒盐、钒含氧酸盐、和它们的组合。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述钒源选自由以下各项组成的组：五氧化二钒、偏钒酸铵、草酸氧钒、水合硫酸氧钒、硫酸铵钒、和它们的组合。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述包含钒源的原料放置在半开放容器内。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述半开放容器是位于水平惰性气体流中的倾斜放置的单开口管，所述单开口管设置为管口高于管底且长度方向与水平面的夹角为5至35°。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述流动惰性气体气氛包括惰性气体的对流。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述惰性气体选自由以下各项组成的组：氮气、氩气、和它们的组合。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述原料还包含掺杂元素源。

9.一种根据权利要求1的方法制备的二氧化钒基单晶体，其中，

所述二氧化钒基单晶体是长度在1毫米以上且直径在100微米以上的棒状单晶。

10.根据权利要求9所述的二氧化钒基单晶体，其中，

所述二氧化钒基单晶体的绝缘体-金属相变温度差在0.05K以下，其中绝缘相的电阻率为所述金属相的电阻率的10⁵以上。