[发明专利]微型发光二极管显示面板及其制备方法

说明书

一种微型发光二极管显示面板的制备方法，其包括：提供一设置有微型发光二极管的承载基板，微型发光二极管设置有第一电极；提供一包括控制电路的薄膜晶体管基板，于薄膜晶体管基板上依次形成导电连接件、绝缘层、以及接触电极层；同时图案化绝缘层和接触电极层，以形成贯穿接触电极层和绝缘层的通孔，该通孔暴露导电连接件；使微型发光二极管的第一电极和导电连接件之间形成静电吸附；使微型发光二极管及其第一电极转移至薄膜晶体管基板上；以及使微型发光二极管的第一电极与导电连接件结合。还提供利用上述方法制备的微型发光二极管显示面板。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种微型发光二极管显示面板及其制备方法。

背景技术

目前，微型发光二极管(Micro Light Emitting Diode)显示面板的制备通常包括：将承载基板上的微型发光二极管转移至薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)基板上的步骤。然而，由于微型发光二极管的尺寸非常小(例如宽度不超过100微米)，导致微型发光二极管的转移精度要求非常严苛，进而使得微型发光二极管显示面板的加工精度要求很高，制备流程复杂。

发明内容

本发明提供一种微型发光二极管显示面板的制备方法，其包括以下步骤：

提供一承载基板，所述承载基板上设置有微型发光二极管，所述微型发光二极管的远离所述承载基板的一端设置有第一电极；

提供一薄膜晶体管基板，所述薄膜晶体管基板包括控制电路，于所述薄膜晶体管基板上依次形成导电连接件、覆盖所述导电连接件的绝缘层、以及设置于所述绝缘层远离所述薄膜晶体管基板的一侧的接触电极层，所述导电连接件电性连接所述控制电路，所述接触电极层穿过所述绝缘层以电性连接所述控制电路；

同时图案化所述绝缘层和所述接触电极层，以形成贯穿所述接触电极层和所述绝缘层的通孔，所述通孔暴露所述导电连接件；

将所述微型发光二极管的第一电极抵持所述接触电极层，并通过所述控制电路给所述接触电极层施加参考电压，通过所述控制电路给所述导电连接件施加不同于所述参考电压的电压，进而使所述微型发光二极管的第一电极和所述导电连接件之间形成静电吸附；

使所述微型发光二极管及其第一电极脱离所述承载基板，并转移至所述薄膜晶体管基板上；以及

处理所述导电连接件，以使所述微型发光二极管的第一电极与所述导电连接件结合。

本发明微型发光二极管显示面板的制备方法，同时图案化所述绝缘层和所述接触电极层，简化了制备流程。另外，同时图案化所述绝缘层和所述接触电极层的步骤中形成了贯穿所述接触电极层和所述绝缘层的通孔，使得所述微型发光二极管的第一电极抵持所述接触电极层时的转移精度要求降低。

附图说明

图1为本发明实施例的微型发光二极管显示面板的制备方法之步骤S1的剖面示意图。

图2为本发明实施例的微型发光二极管显示面板的制备方法之步骤S2的剖面示意图。

图3为本发明实施例的微型发光二极管显示面板的制备方法之步骤S3的剖面示意图。

图4为本发明实施例的微型发光二极管显示面板的制备方法之步骤S4的剖面示意图。

图5为本发明实施例的微型发光二极管显示面板的制备方法之步骤S5的剖面示意图。

图6为本发明实施例的微型发光二极管显示面板的制备方法之步骤S6的剖面示意图。

图7为本发明实施例的微型发光二极管显示面板的制备方法之步骤S7以及步骤S8的剖面示意图。

主要元件符号说明