[发明专利]用于检测激光光斑温度场分布的温度传感器及其制备方法

权利要求书

1.一种用于检测激光光斑温度场分布的温度传感器的制备方法，其特征在于，用于检测激光光斑温度场分布的温度传感器，其特征在于，包括绝缘高温层基底(1)，所述绝缘高温层基底(1)表面分为敏感区域(5)及非敏感区域，所述敏感区域(5)上设置有自下到上依次分布的正极热电偶薄膜阵列(2)及负极热电偶薄膜阵列(3)，其中，正极热电偶薄膜阵列(2)中的一块正极热电偶薄膜对应负极热电偶薄膜阵列(3)中的一块负极热电偶薄膜，且各负极热电偶薄膜覆盖于对应正极热电偶薄膜上，正极热电偶薄膜的上表面以及敏感区域(5)上没有覆盖正极热电偶薄膜阵列(2)的区域均覆盖有保护层(6)；

各负极热电偶薄膜及各正极热电偶薄膜均连接有冷端(7)，其中，各冷端(7)均位于非敏感区域内；

绝缘高温层基底(1)的材质为碳化硅陶瓷材料；

正极热电偶薄膜阵列(2)的材质为n型铬酸锶镧，负极热电偶薄膜阵列(3)的材质为p型氧化铟；

一块正极热电偶薄膜与其上的负极热电偶薄膜组成一个热节点(4)，各热节点(4)呈十字形分布；

热节点(4)的数目为25个，其中，一个热节点位于中心位置处，剩余24个热节点平均分为六组，相邻两组热节点的间距均为100μm；

各块正极热电偶薄膜及负极热电偶薄膜的宽度均为50μm；

所述敏感区域(5)为直径为2mm的圆形结构；

包括以下步骤：

1)利用光刻工艺形成薄膜热电偶的正极图形，并在绝缘高温层基底(1)表面选取敏感区域(5)及非敏感区域；

2)采用磁控溅射方法在敏感区域(5)上制作正极热电偶薄膜阵列(2)；

3)利用光刻工艺形成薄膜热电偶的负极图形；

4)采用磁控溅射方法制作负极热电偶薄膜阵列(3)；

5)利用光刻工艺形成保护层(6)的图形；

6)采用磁控溅射方法制作保护层(6)，得温度传感器样本；

7)对所述温度传感器样本进行标定，得用于检测激光光斑温度场分布的温度传感器；

步骤4)与步骤5)之间还包括将步骤4)得到的产品在1000℃下退火1h，使得正极热电偶薄膜阵列(2)中的各正极热电偶薄膜及负极热电偶薄膜阵列(3)中的各负极热电偶薄膜晶化。