[发明专利]一种减小电子束径向振荡相位差的方法有效
| 申请号： | 201910080324.3 | 申请日： | 2019-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN109872933B | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 张广帅;孙钧;吴平;宋志敏;范志强;曹亦兵 | 申请（专利权）人： | 西北核技术研究所 |
| 主分类号： | H01J23/087 | 分类号： | H01J23/087;H01J23/10;H01J61/02 |
| 代理公司： | 中国兵器工业集团公司专利中心 11011 | 代理人： | 刘瑞东 |
| 地址： | 710024 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 减小 电子束 径向 振荡 相位差 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种减小电子径向振荡相位差的方法，其特征在于：在冷阴极爆炸发射表面附近区域加载非均匀磁场，该非均匀磁场位于电子束的初始加速区域，磁场强度沿轴向逐渐减小，形成沿径向向外的磁场分量，所加载非均匀磁场将局部改变引导磁场方向，提高爆炸发射电子出射方向的一致性，从而减小电子间径向振 荡相位差；
所述非均匀磁场的加载具体包括如下步骤：
步骤1、利用粒子模拟软件建立无箔二极管冷阴极爆炸发射模型，确定二极管工作电压、冷阴极发射束流以及原引导磁场
步骤2、粒子模拟中，在冷阴极发射表面附近加载一类正弦非均匀磁场
步骤3、步骤2确定参数
所述非均匀磁场沿空间呈近似正弦分布，在所在加载区域为半个正弦周期。
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