[发明专利]电源保护电路有效

专利信息
申请号: 201880069392.3 申请日: 2018-10-26
公开(公告)号: CN111279569B 公开(公告)日: 2022-07-19
发明(设计)人: 石井卓也;三桥哲也;片濑银河;龙隆 申请(专利权)人: 新唐科技日本株式会社
主分类号: H02H3/02 分类号: H02H3/02;H02H7/20
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 吕文卓
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 电源 保护 电路
【说明书】:

电源保护电路(10a)是对将直流电源(1)和负载电路(3)连接的电源线中插入的保护开关(2)进行控制的电源保护电路(10a),具备与保护开关(2)连接的电路部(4a)、和将电路部(4a)的动作状态切换为第一状态或第二状态的控制部(5a),第一状态是在保护开关(2)是控制端子被与第一导电型的半导体层连接的第一半导体开关的情况下能够驱动保护开关(2)的动作状态,第二状态是在保护开关(2)是控制端子被与不同于一导电型的第二导电型的半导体层连接的第二半导体开关的情况下能够驱动保护开关(2)的动作状态。

技术领域

本申请涉及电源保护电路。

背景技术

已知在直流电源与负载电路之间设置保护开关、在检测到负载电路的异常的情况下将保护开关切断的现有技术的电源保护电路。关于这样的电源保护电路,利用图30以及图31进行说明。

图30是表示现有技术的电源保护电路的概略结构的电路图。如图30所示,电源保护电路被插入于将直流电源801和负载电路803连接的电源线。电源保护电路具备保护开关802和控制电路804。此外,控制电路804在通常时使保护开关802导通而向负载电路803传递来自直流电源801的电力。此外,如果控制电路804基于来自负载电路803的信息而检测到异常,则将保护开关802切断,使来自直流电源801的供电停止。由此,防止负载电路803的进一步损坏,并且保护直流电源801。

此外,图31是表示专利文献1中公开的现有技术的电源保护电路的结构的电路图。图31所示的电源装置901具备直流电源902、作为负载电路的电路块906、和构成电源保护电路的控制块903、第一开关电路904及第二开关电路905。第一开关电路904具有晶体管941和电阻942及944。第二开关电路905具有由晶体管951和电阻952及953构成的开关、二极管957和电容器956的并联电路、以及反馈电阻954。

图31所示的控制块903在启动时将通断控制信号934设为H电平(即,HIGH电平)。由此,向电容器956流过充电电流i12,晶体管951导通,晶体管941的基极电流i11流通,第一开关电路904接通。通常,在电源线906A中产生电压,经由反馈电阻954流通电流i13,即使通过电容器956的满充电而i12消失,第一开关电路904的晶体管941也被维持导通,向电路块906供电。

在异常时,如果电源线906A与接地线短路,则在电容器956的充电电流i12流通的期间,由于第一开关电路904导通,所以过电流流向第一开关电路904。但是,由于反馈电流i13不流通,所以如果i12消失则晶体管951截止,第一开关电路904断开。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开平6-86460号公报

在图30以及图31所示那样的现有技术的电源保护电路中,作为保护开关而使用PNP晶体管(或PchMOSFET),但也有使用NPN晶体管(或NchMOSFET)的情况。通常,如果是相同形状则NPN晶体管(或NchMOSFET)能够使导通时的导通电压较低,但作为驱动电压而需要比电源电压高的电压从而存在驱动电路的复杂化的课题。设计者必须根据要求性能及价格目标来选择适当的器件作为保护开关。

发明内容

本申请的目的在于,提供保护开关的选择广、能够实现设计的容易化的电源保护电路。

为了达成上述目的,本申请的一实施方式的电源保护电路,是控制在将直流电源和负载电路连接的电源线中插入的保护开关的电源保护电路,具备与上述保护开关连接的电路部、和将上述电路部的动作状态切换为第一状态或第二状态的控制部,上述第一状态是,在上述保护开关是控制端子被与第一导电型的半导体层连接的第一半导体开关的情况下能够驱动上述保护开关的动作状态,上述第二状态是,在上述保护开关是控制端子被与不同于上述第一导电型的第二导电型的半导体层连接的第二半导体开关的情况下能够驱动上述保护开关的动作状态。

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