[发明专利]表膜和表膜组件

说明书

本发明涉及一种表膜组件，所述表膜组件包括表膜框架，所述表膜框架限定表膜所附接到的表面。所述表膜组件包括一个或更多个三维膨胀结构，所述三维膨胀结构允许所述表膜在应力下膨胀。本发明还涉及一种用于图案形成装置的表膜组件，包括用于使得表膜朝向图案形成装置和远离图案形成装置移动的一个或更多个致动器。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年6月15日提交的欧洲申请17176205.7和2017年9月12日提交的欧洲申请17190503.7的优先权，这些申请通过引用全文并入本文。

技术领域

本发明涉及表膜和表膜组件。表膜组件可以包括表膜和用于支撑表膜的框架。表膜可适用于与光刻设备的图案形成装置一起使用。本发明具体但非排他性地与EUV光刻设备和EUV光刻工具结合使用。

背景技术

光刻设备是一种被构造成将所期望的图案施加到衬底上的机器。光刻设备可以例如用于集成电路(IC)的制造中。光刻设备可例如将图案从图案形成装置(例如，掩模)投影到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。

光刻设备用于将图案投影到衬底上的辐射波长决定了可以在该衬底上形成的特征的最小尺寸。使用EUV辐射(具有在4-20nm范围内的波长的电磁辐射)的光刻设备可用于在衬底上形成比常规光刻设备(所述常规光刻设备可以例如使用波长为193nm的电磁辐射)更小的特征。

可以使用图案形成装置在光刻设备中将图案赋予辐射束。可以通过表膜保护图案形成装置免受颗粒污染物。表膜可以由表膜框架支撑。

在光刻术中使用表膜是众所周知的并且是公认的。DUV光刻设备中的典型表膜是隔膜，所述隔膜被定位成远离图案形成装置并且在使用中位于光刻设备的焦平面之外。因为表膜在光刻设备的焦平面之外，所以落在表膜上的污染物颗粒在光刻设备中焦点未对准或失焦。因此，污染物颗粒的图像不会投影到衬底上。如果表膜不存在，那么落在图案形成装置上的污染物颗粒将被投影到衬底上并将缺陷引入被投影的图案中。

可能期望在EUV光刻设备中使用表膜。EUV光刻术与DUV光刻术的不同之处是EUV光刻术典型地在真空中执行，并且图案形成装置是典型地反射式的，而不是透射式的。

可能期望提供克服或缓解与现有技术相关联的一个或更多个问题的表膜和/或表膜组件。本文描述的本发明的实施例可以用在EUV光刻设备中。本发明的实施例也可以用在DUV光刻设备或其它形式的光刻设备中。

发明内容

根据本公开描述的第一方面，提供了一种表膜组件。所述表膜组件包括表膜框架，所述表膜框架限定表膜所附接到的表面。所述表膜组件还包括一个或更多个三维膨胀结构，所述三维膨胀结构允许所述表膜在应力下膨胀。

以这种方式，可以增加表膜组件的寿命和可靠性。

所述三维膨胀结构中的至少一个可以被形成在所述表膜框架内并由此被赋予至所述表膜。例如，通过在表膜框架内形成三维膨胀结构并在表膜框架的顶部上沉积表膜，也可以将三维膨胀结构赋予至表膜。

三维膨胀结构中的至少一个可以形成为弹簧。例如，弹簧可以包括在表膜框架内形成的至少一个V形构造。至少一个结构可以包括在表膜框架内形成并定位在表膜的中心部分周围的多个弹簧。表膜的中心部分是不与框架直接接触的表膜的部分。以这种方式，可以更准确地控制表膜内的应力控制。至少一个弹簧可以是板簧。

三维膨胀结构中的至少一个可以存在于表膜的中心部分上。

框架可以包括基底，表膜组件可以包括在基底和表膜之间的至少一个弹簧层。至少一个弹簧可以被形成在弹簧层内。附加的弹簧层还提高了在表膜内选择期望应力的能力。

至少一个三维膨胀结构可以包括鱼骨形或人字形图案。鱼骨形图案可以横跨整个表膜或在表膜的外部(例如，非图像场)部分上延伸。