[实用新型]一种新型低损耗半柔射频电缆

说明书

本实用新型公开一种新型低损耗半柔射频电缆，包括内导体、绝缘层、屏蔽层、护套层，绝缘层由绝缘层Ⅰ、绝缘层Ⅱ构成，绝缘层Ⅰ、绝缘层Ⅱ由内向外依次包覆，屏蔽层由屏蔽层Ⅰ、屏蔽层Ⅱ构成，屏蔽层Ⅰ、屏蔽层Ⅱ由内向外依次包覆。内导体为镀银圆铜线，绝缘层Ⅰ为实心聚四氟乙烯树脂，绝缘层Ⅱ为半烧结聚四氟乙烯树脂，屏蔽层Ⅰ为铜带，屏蔽层Ⅱ为镀锡圆铜线编织整体浸锡，护套层为聚全氟乙丙烯树脂。应用了双层聚四氟乙烯树脂作为绝缘层，其中绝缘层Ⅰ采用完全烧结实心聚四氟乙烯工艺，绝缘层Ⅱ采用半烧结聚四氟乙烯树脂，该绝缘结构电气性能优越，绝缘介电常数于1.7附近，适用于代替传统的半柔射频电缆及藕芯射频电缆。

技术领域

本实用新型涉及低损耗半柔射频电缆，尤其涉及一种新型低损耗半柔射频电缆。

背景技术

传统半柔射频电缆采用实心聚四氟乙烯树脂的单层绝缘结构，但随着频率的不断提高，尤其到6GHz以上，这类电缆的衰减明显增大，电气性能难以保证，所以出现了采用藕芯聚四氟乙烯树脂绝缘结构的射频电缆。在高频段，这类电缆较传统半柔射频电缆的衰减小，电气性能得到保证。但该类电缆绝缘生产工艺复杂、成品率低，由于绝缘采用藕芯结构，电缆长时间存放后，绝缘孔隙容易吸潮，从而影响电气性能。因此，为了平衡藕芯电缆容易吸潮和生产工艺复杂的问题及传统半柔射频电缆在高频段衰减明显增加的问题，需要提供一种新的技术方案来解决上述问题。

实用新型内容

为了解决上述问题，本实用新型公开了一种新型低损耗半柔射频电缆，使其不存在藕芯射频电缆绝缘孔隙吸潮而影响衰减及生产工艺复杂的问题，同时解决了传统半柔射频电缆在高频段衰减明显增加的问题。

本实用新型的技术方案为：一种新型低损耗半柔射频电缆，包括内导体、绝缘层、屏蔽层、护套层，绝缘层由绝缘层Ⅰ、绝缘层Ⅱ构成，绝缘层Ⅰ、绝缘层Ⅱ由内向外依次包覆，屏蔽层由屏蔽层Ⅰ、屏蔽层Ⅱ构成，屏蔽层Ⅰ、屏蔽层Ⅱ由内向外依次包覆。

进一步地，内导体为镀银圆铜线，绝缘层Ⅰ为实心聚四氟乙烯树脂，绝缘层Ⅱ为半烧结聚四氟乙烯树脂，屏蔽层Ⅰ为铜带，屏蔽层Ⅱ为镀锡圆铜线编织整体浸锡，护套层为聚全氟乙丙烯树脂。

本实用新型的有益之处：应用了双层聚四氟乙烯树脂作为绝缘层，其中绝缘层Ⅰ采用完全烧结实心聚四氟乙烯工艺，绝缘层Ⅱ采用半烧结聚四氟乙烯树脂，该绝缘结构电气性能优越，绝缘介电常数于1.7附近，适用于代替传统的半柔射频电缆及藕芯射频电缆。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图；

其中：1、内导体，2、绝缘层Ⅰ，3、绝缘层Ⅱ，4、屏蔽层Ⅰ，5、屏蔽层Ⅱ，6、护套层。

具体实施方式

为了加深对本实用新型的理解，下面结合附图详细描述本实用新型的具体实施方式，该实施例仅用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的保护范围的限定。

一种新型低损耗半柔射频电缆，包括内导体1、绝缘层、屏蔽层、护套层，绝缘层由绝缘层Ⅰ2、绝缘层Ⅱ3构成，绝缘层Ⅰ2、绝缘层Ⅱ3由内向外依次包覆，屏蔽层由屏蔽层Ⅰ4、屏蔽层Ⅱ5构成，屏蔽层Ⅰ4、屏蔽层Ⅱ5由内向外依次包覆。

内导体为镀银圆铜线，绝缘层Ⅰ2为实心聚四氟乙烯树脂，绝缘层Ⅱ3为半烧结聚四氟乙烯树脂，屏蔽层Ⅰ4为铜带，屏蔽层Ⅱ5为镀锡圆铜线编织整体浸锡，护套层6为聚全氟乙丙烯树脂。

绝缘层Ⅰ：聚四氟乙烯树脂与助剂进行混合配比，其中助剂在聚四氟乙烯树脂中的占比为(17～18)%，混合后摇匀（0.6～1.0）h，在（25～40）℃的老化室老化（24～48）h，使助剂分子充分和聚四氟乙烯树脂混合均匀，然后将混料加入预压成型设备制成预制棒，按如下炉区温度进行绝缘层Ⅰ生产：

烘干区 1区 2区 3区 4区 5区