[实用新型]半导体封装和CISCSP

权利要求书

1.一种半导体封装，包括：

半导体管芯，所述半导体管芯包括第一介电层和多个焊盘，所述第一介电层具有穿过其中暴露所述多个焊盘中的每一个的至少一部分的多个开口；

耦接到所述第一介电层的第二介电层，所述第二介电层具有与所述第一介电层中的所述多个开口相对应的多个开口，其中所述第二介电层的所述多个开口的宽度大于所述第一介电层的所述多个开口的宽度；

多个凸块，所述多个凸块与所述多个焊盘耦接到达所述第一介电层的所述多个开口中以及所述第二介电层的所述多个开口中；和

凸块密封材料，所述凸块密封材料设置在所述多个凸块周围并且沿所述多个凸块的侧面从所述多个焊盘的材料向上延伸；

其中所述半导体封装被配置为与母板耦接而不在所述多个凸块与所述母板之间使用底部填充材料。

2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述第二介电层的厚度等于或大于所述第一介电层的厚度。

3.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述第一介电层的材料与所述第二介电层的材料相同或不同。

4.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述第二介电层的厚度被配置为将焊料密封材料的密封高度提升到所需高度。

5.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述半导体管芯是图像传感器，所述图像传感器包括耦接到所述半导体管芯的多个微透镜、耦接在所述半导体管芯的周边周围的围坝、以及位于所述半导体管芯上方耦接到所述围坝的玻璃层。

6.一种互补金属氧化物半导体CMOS图像传感器芯片级封装CISCSP，包括：

半导体管芯，所述半导体管芯包括第一SMD层和多个焊盘，所述第一SMD层具有穿过其中暴露所述多个焊盘中的每一个的至少一部分的多个开口；

耦接到所述第一SMD层的第二NSMD层，所述第二NSMD层具有与所述第一SMD层中的所述多个开口相对应的多个开口，其中所述第二NSMD层的所述多个开口的宽度大于所述第一SMD层的所述多个开口的宽度；

多个凸块，所述多个凸块与所述多个焊盘耦接到达所述第一SMD层的所述多个开口中以及所述第二NSMD层的所述多个开口中；和

凸块密封材料，所述凸块密封材料设置在所述多个凸块周围并且沿所述多个凸块的侧面从所述多个焊盘的材料向上延伸。

7.根据权利要求6所述的CISCSP，其中所述第一SMD层的材料与所述第二NSMD层的材料相同或不同。

8.根据权利要求6所述的CISCSP，其中所述第一SMD层包括膜。

9.根据权利要求6所述的CISCSP，其中所述第二NSMD层包括膜。

10.根据权利要求6所述的CISCSP，其中所述第二NSMD层的厚度被配置为将焊料密封材料的密封高度提升到所需高度。

11.根据权利要求6所述的CISCSP，其中所述第二NSMD层的厚度大于30微米。