[发明专利]一种基于SOI的全差分电容式MEMS加速度计在审
| 申请号： | 201811558889.X | 申请日： | 2018-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN109490576A | 公开（公告）日： | 2019-03-19 |
| 发明（设计）人： | 李绍荣;郭小伟;秦茂森;杨承 | 申请（专利权）人： | 成都力创云科技有限公司 |
| 主分类号： | G01P15/125 | 分类号： | G01P15/125 |
| 代理公司： | 成都正华专利代理事务所(普通合伙) 51229 | 代理人： | 李林合;李蕊 |
| 地址： | 610054 四川省成都市天*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 质量块 差分电容式 监测 止挡块 梳齿 差分接口电路 敏感质量块 表面加工 共模噪声 活动梳齿 上下两端 电容 弹簧梁 电隔离 固定锚 弹簧 两组 锚点 嵌入 电路 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于SOI的全差分电容式MEMS加速度计，其特征在于，包括
SOI基片；
敏感结构，设置有可动梳齿；
八个固定锚，均设置有固定检测梳齿；其中四个固定锚位于敏感结构的外侧，另外四个固定锚位于敏感结构的内侧；固定锚上的固定检测梳齿与敏感结构上的相对应的可动梳齿组成差分电容结构；
两组对称分布的弹簧梁，将敏感结构与支持锚点相连；
四个支撑锚点，对称分布于加速度计机械结构的四个端点处，固定在SOI基片上，使敏感结构悬空于SOI基片。
2.根据权利要求1所述的一种基于SOI的全差分电容式MEMS加速度计，其特征在于，所述的敏感结构有两个彼此电隔离的U型质量块组成。
3.根据权利要求2所述的一种基于SOI的全差分电容式MEMS加速度计，其特征在于，构成敏感结构的两个U型质量块由镍制成。
4.根据权利要求1所述的一种基于SOI的全差分电容式MEMS加速度计，其特征在于，所述弹簧梁为π型梁。
5.根据权利要求1所述的一种基于SOI的全差分电容式MEMS加速度计，其特征在于，所述支撑锚点中嵌入止动块结构。
6.根据权利要求1所述的一种基于SOI的全差分电容式MEMS加速度计，其特征在于，所述固定梳齿与可动梳齿构成定齿偏置结构。
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