[发明专利]一种等离子切割实现超窄切割道的工艺

说明书

一种等离子切割实现超窄切割道的工艺，其可实现在半导体晶圆上的超窄切割道的切割，可有效维持产品强度，避免后续生产中产品芯片破裂的问题出现，其包括以下工艺步骤：步骤1，在半导体晶圆的正面做植球，步骤2：将尺寸与半导体晶圆相适应的金属环贴附在BG‑UV膜上，然后将半导体晶圆翻转贴装于金属环的内侧，步骤3：采用半导体晶圆研磨设备将半导体晶圆的厚度减小，步骤4：对半导体晶圆的背面进行保护胶涂敷操作，步骤5：对半导体晶圆背面的保护胶进行开槽，步骤6：对应保护胶的开槽的位置，采用等离子切割机对半导体晶圆的背面进行超窄切割道的切割操作，步骤7：对半导体晶圆进行保护胶清洗操作，步骤8：将半导体晶圆倒至DC‑UV膜上。

技术领域

本发明涉及半导体晶圆切割设备技术领域，具体为一种等离子切割实现超窄切割道的工艺。

背景技术

现有等离子切割工艺中，大多采用激光开槽的方式，在半导体晶圆正面切割出具有一定宽度的切割道，现有技术中的切割工艺一般可实现较宽宽度的切割道切割，切割道宽度一般大于30μm。但是在晶圆半导体实际应用中，为了便于在晶圆上放置更多的芯片，以减少半导体晶圆的投入成本，常需要在半导体晶圆上切割出多个宽度小于30μm的超窄切割道，但是在使用激光切割机切割过程中由于受激光的热影响及在切割过程中存在切割偏移等问题，难以实现超窄切割道的切割，尤其是切割宽度小于30μm的切割道，而且激光开槽易造成产品强度的下降，在后续生产中，容易产生芯片破裂。

发明内容

针对现有技术中存在的现有切割工艺难以实现超窄切割道切割，尤其是对于宽度小于30μm的切割道切割，且易造成产品强度下降，导致后续生产中产品芯片易产生破裂的问题，本发明提供了一种等离子切割实现超窄切割道的工艺，其可实现在半导体晶圆上的超窄切割道的切割，可有效维持产品强度，避免后续生产中产品芯片破裂的问题出现。

一种等离子切割实现超窄切割道的工艺，其特征在于，其包括以下工艺步骤：

步骤1：采用锡膏印刷与回流焊工艺在半导体晶圆的正面做植球；

步骤2：将尺寸与半导体晶圆相适应的金属环贴附在BG-UV膜上，然后将经步骤1处理的半导体晶圆翻转，使其正面朝下贴装于金属环的内侧，将植球全部埋入BG-UV膜内，半导体晶圆的正面与BG-UV膜紧密接触贴合；

步骤3：采用半导体晶圆研磨设备将经步骤2处理后的半导体晶圆的背面进行研磨；

步骤4：采用激光切割机对经步骤3处理后的半导体晶圆的背面进行保护胶涂敷操作；

步骤5：采用激光切割机对经步骤4处理后的半导体晶圆背面的保护胶进行开槽；

步骤6：对应经步骤5处理后的保护胶的开槽的位置，采用等离子切割机对半导体晶圆的背面进行超窄切割道的切割操作，超窄切割道为上宽下窄结构，超窄切割道的宽度为3μm -30μm；

步骤7：对经步骤6处理后的半导体晶圆进行保护胶清洗操作；

步骤8：将经步骤7处理后的半导体晶圆倒至DC-UV膜上。

其进一步特征在于：

在步骤1中，锡膏印刷即采用锡膏印刷机锡膏刮刀的运动将锡膏印在半导体晶圆的正面，锡膏刮刀的角度为30度-60度，运动速度为5㎜/s -60㎜/s；然后通过回流焊工艺对锡膏进行熔锡焊接，回流焊峰值温度为213度；

在步骤2中，通过滚轮压力使金属环、半导体晶圆与BG-UV膜的贴合，滚轮压力通过气压控制，气压范围为：0.2 Mpa -0.6Mpa，滚轮移动速度为1 mm/s -30mm/s；

在步骤4中，通过旋涂工艺将保护胶涂敷于半导体晶圆的背面，保护胶为醚类水溶性胶，保护胶的涂抹厚度为：1μm -30μm；