[发明专利]一种质谱仪和离子检测方法在审

专利信息
申请号: 201811255145.0 申请日: 2018-10-26
公开(公告)号: CN109243963A 公开(公告)日: 2019-01-18
发明(设计)人: 张小华;查卓越 申请(专利权)人: 苏州安益谱精密仪器有限公司
主分类号: H01J49/06 分类号: H01J49/06;H01J49/42;H01J49/02
代理公司: 深圳市恒申知识产权事务所(普通合伙) 44312 代理人: 袁文英
地址: 215000 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 四极杆滤质器 离子 离子捕捉装置 离子检测装置 质谱仪 时长 输出 离子检测 捕获 筛选 离子源下游 过程结束 离子捕获 离子富集 依次设置 离子源 灵敏度 束缚 检测
【权利要求书】:

1.一种质谱仪,其特征在于,所述质谱仪包括:离子源、四极杆滤质器、离子捕捉装置和第一离子检测装置;

所述四极杆滤质器位于所述离子源下游,所述离子捕捉装置位于所述四极杆滤质器下游,所述第一离子检测装置位于所述离子捕捉装置下游,所述离子捕捉装置具有捕获从所述四极杆滤质器输出的离子,将所述离子束缚在所述离子捕捉装置中,以及在所述离子的捕获过程结束后,在第二时长内将所述离子输出至所述第一离子检测装置的功能,其中,所述离子捕捉装置捕获所述离子的操作花费的时长为第一时长,所述第一时长大于所述第二时长。

2.如权利要求1所述的质谱仪,其特征在于,所述离子捕捉装置为离子束缚子装置,所述离子束缚子装置的离子输入端面向所述四极杆滤质器的离子输出端,所述离子束缚子装置具有将输入的离子束缚在所述离子束缚子装置中,以及在所述离子的捕获过程结束后,在第二时长内将所述离子输出至所述第一离子检测装置的功能。

3.如权利要求1所述的质谱仪,其特征在于,所述离子捕捉装置由离子束缚子装置和离子偏转子装置构成,所述离子偏转子装置设置于所述四极杆滤质器的离子输出端和所述离子束缚子装置的离子输入端之间,所述离子偏转子装置用于改变从所述四极杆滤质器的离子输出端输出的离子的轨迹,使所述离子的轨迹转向所述离子束缚子装置的离子输入端,所述离子束缚子装置具有将输入的离子束缚在所述离子束缚子装置中,以及在所述离子的捕获过程结束后,在第二时长内将所述离子输出至所述第一离子检测装置的功能。

4.如权利要求3所述的质谱仪,其特征在于,所述离子偏转子装置具有偏转电极,所述离子偏转子装置通过所述偏转电极改变从所述四极杆滤质器输出的离子的轨迹。

5.如权利要求3所述的质谱仪,其特征在于,所述质谱仪还包括位于所述四极杆滤质器下游的第二离子检测装置,所述第二离子检测装置的离子输入端面向所述四极杆滤质器的离子输出端,所述第二离子检测装置用于在所述离子偏转子装置关闭的状态下,接收从所述四极杆滤质器中输出的离子并基于所述离子进行检测。

6.如权利要求2-5任一项所述的质谱仪,其特征在于,所述离子束缚子装置的类型包括离子阱。

7.一种离子检测方法,其特征在于,所述离子检测方法应用于如权利要求1-6任一项所述的质谱仪,所述离子检测方法包括:

在所述四极杆滤质器上设置预设筛选电压,以建立使目标离子导通的四极电场,其中,所述目标离子为质荷比在目标质荷比范围内的离子,所述目标离子源于所述离子源;

通过所述离子捕捉装置捕获从所述四极杆滤质器输出的离子,其中,所述离子捕捉装置捕获所述离子的操作花费的时长为第一时长,所述离子捕捉装置捕获的离子被束缚在所述离子捕捉装置中;

在所述离子捕捉装置捕获所述离子的步骤结束后,所述离子捕捉装置在第二时长内将自身束缚的离子全部发送至所述第一离子检测装置,其中,所述第一时长大于所述第二时长;

所述第一离子检测装置基于所述离子进行检测。

8.如权利要求7所述的离子检测方法,其特征在于,在所述离子捕捉装置为离子束缚子装置的场景下,所述通过所述离子捕捉装置捕获从所述四极杆滤质器输出的离子包括:

通过所述离子束缚子装置的离子输入端接收从所述四极杆滤质器输出的离子。

9.如权利要求7所述的离子检测方法,其特征在于,在所述离子捕捉装置由所述离子束缚子装置和离子偏转子装置构成的情况下,所述通过所述离子捕捉装置捕获从所述四极杆滤质器输出的离子包括:

通过所述离子偏转子装置改变从所述四极杆滤质器输出的离子的轨迹,使所述离子发生偏转后进入所述离子束缚子装置;

通过所述离子束缚子装置接收发生偏转的所述离子。

10.如权利要求8或9所述的离子检测方法,其特征在于,所述离子束缚子装置为离子阱,所述离子阱具有前端盖和后端盖,从所述四极杆滤质器输出的所述离子通过所述前端盖进入所述离子阱;在所述离子阱接收所述离子的时间段内,所述后端盖的电压高于所述前端盖的电压;从所述离子阱接收所述离子的操作结束后,到所述离子阱在第二时长内将束缚的离子全部输出至所述第一离子检测装置前,所述离子阱的所述前端盖和后端盖上施加的电压相等。

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