[发明专利]一种全光纤电流传感器及其制作方法在审
申请号: | 201811213926.3 | 申请日: | 2018-10-18 |
公开(公告)号: | CN109342789A | 公开(公告)日: | 2019-02-15 |
发明(设计)人: | 李仙丽 | 申请(专利权)人: | 西安电子科技大学 |
主分类号: | G01R3/00 | 分类号: | G01R3/00;G01R15/22;G01R15/24 |
代理公司: | 北京市盈科律师事务所 11344 | 代理人: | 张晶 |
地址: | 710071*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 全光纤电流传感器 玻璃腔体 微纳光纤 磁流体 电流传感器 准确度 充分接触 灌注 制作 | ||
1.一种全光纤电流传感器,其特征在于,所述全光纤电流传感器包括:微纳光纤环101、磁流体102和玻璃腔体103;其中,微纳光纤环101设置在玻璃腔体103中;磁流体102灌注到玻璃腔体103中,使得磁流体102与微纳光纤环101充分接触。
2.根据权利要求1所述的全光纤电流传感器,其特征在于,微纳光纤环101由微纳光纤采用以下方法制作形成:将所述微纳光纤的输入端口与输出端口的打一个单结;拉伸输入端口与输出端口,光纤结将会自动由所述微纳光纤的锥区向腰区滑动,直至达到预先确定的直径尺寸为止。
3.根据权利要求2所述的全光纤电流传感器,其特征在于,所述微纳光纤的直径为3μm,微纳光纤环101的环直径为400μm。
4.根据权利要求1所述的全光纤电流传感器,其特征在于,微纳光纤环101固定在基底上,其中,所述基底的材料为氟化镁晶体,所述基底的折射率为1.37。
5.根据权利要求1所述的全光纤电流传感器,其特质在于,玻璃腔体103的表面设置一个小孔,磁流体102从所述小孔处灌注到玻璃腔体103中;其中,磁流体102得分材料为水基Fe3O4磁流体。
6.一种全光纤电流传感器的制作方法,其特征在于,所述方法包括:
将微纳光纤按照预设方法制作成为微纳光纤环;
将微纳光纤环设置在玻璃腔体中;
将磁流体灌注在所述玻璃腔体中,使得磁流体包覆微纳光纤环,由磁流体与微纳光纤组成全光纤电流传感器。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述将微纳光纤按照预设方法制作成为微纳光纤环,包括:
将所述微纳光纤的输入端口与输出端口的打一个单结;拉伸输入端口与输出端口,光纤结将会自动由所述微纳光纤的锥区向腰区滑动,直至达到预先确定的直径尺寸为止。
8.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述将微纳光纤环设置在玻璃腔体中,包括:
将所述微纳光纤环固定在基底上;
将固定在所述基底上的微纳光纤环设置在玻璃腔体中;其中,所述基底的材料为氟化镁晶体,所述基底的折射率为1.37。
9.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述将磁流体灌注在所述玻璃腔体中,包括:
在玻璃腔体103的表面设置一个小孔;
将磁流体从所述小孔处灌注到所述玻璃腔体中;其中,所述磁流体的材料为水基Fe3O4磁流体。
10.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述微纳光纤的直径为3μm,微纳光纤环101的环直径为400μm。
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