[发明专利]图像传感器芯片和图像传感器装置在审
申请号: | 201811191864.0 | 申请日: | 2018-10-12 |
公开(公告)号: | CN109300928A | 公开(公告)日: | 2019-02-01 |
发明(设计)人: | 戚务昌;林永辉;姜利;邓娟;咸杰 | 申请(专利权)人: | 威海华菱光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/369 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 韩建伟;谢湘宁 |
地址: | 264209 山东省威海*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器芯片 光敏接收区 光敏单元 光敏器件 图像传感器装置 依次排列 图像传感器 主扫描方向 方向垂直 分辨率 检测点 感度 减小 连线 申请 保证 | ||
1.一种图像传感器芯片,其特征在于,所述图像传感器芯片包括多个光敏单元(10),多个所述光敏单元(10)沿第一方向依次排列,且各所述光敏单元(10)包括多个沿着第二方向依次排列的光敏器件(12),所述第一方向与所述第二方向垂直,所述第二方向为所述图像传感器芯片的主扫描方向,各所述光敏器件(12)具有光敏接收区(100),任意两个所述光敏接收区(100)的面积均相同且具有宽度相同的间隔,任意两个所述光敏单元(10)中的任意两个所述光敏器件(12)的所述光敏接收区(100)的中心的连线与第一方向之间具有夹角θ,且0°<θ<180°。
2.根据权利要求1所述的图像传感器芯片,其特征在于,任意两个所述光敏接收区(100)在第一平面上的投影形状均相同,所述第一平面与所述第一方向和所述第二方向分别平行。
3.根据权利要求2所述的图像传感器芯片,其特征在于,所述光敏接收区(100)在所述第一平面上的投影形状选自圆、正方形、长方形、椭圆与三角形中的任意一种。
4.根据权利要求2所述的图像传感器芯片,其特征在于,各所述光敏接收区(100)在第二方向上的最大长度为L,任意相邻两个所述光敏单元(10)中的所述光敏器件(12)是一一对应的,且一一对应的两个所述光敏器件(12)的所述光敏接收区(100)的中心之间的间距在所述第二方向上的宽度为1/3L~2/3L,优选为1/2L。
5.根据权利要求1所述的图像传感器芯片,其特征在于,各所述光敏单元(10)中,任意相邻两个所述光敏接收区(100)之间的间隔相同。
6.根据权利要求1所述的图像传感器芯片,其特征在于,所述光敏单元(10)有两个。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的图像传感器芯片,其特征在于,所述图像传感器芯片还包括:
控制单元(20),用于接收外部时钟信号和起始信号,且用于控制所述图像传感器芯片的工作;
存储单元(30),包括多个存储器(32),各所述存储器(32)与所述控制单元(20)电连接,且所述存储器(32)和所述光敏器件(12)一一对应电连接,所述存储器(32)用于存储对应的所述光敏器件(12)得到的电压信号;
移位单元(40),与各所述存储器(32)和所述控制单元(20)分别电连接,所述移位单元(40)用于将所述存储器(32)储存的所述电压信号依次输出;
放大单元(60),与所述移位单元(40)和所述控制单元(20)分别电连接,所述放大单元(60)用于将所述移位单元(40)依次输出的所述电压信号进行放大。
8.根据权利要求7所述的图像传感器芯片,其特征在于,各所述光敏单元(10)还包括:
多个第一复位开关(11),与所述光敏器件(12)一一对应的电连接,用于对对应的所述光敏器件(12)的输出电压进行复位;
第一放大器(13),与所述光敏器件(12)一一对应的电连接,且所述光敏器件(12)的输出端分别与所述第一复位开关(11)以及所述第一放大器电连接,所述第一放大器用于对对应的所述光敏器件(12)的输出电压进行放大。
9.根据权利要求8所述的图像传感器芯片,其特征在于,所述存储单元(30)还包括多个采样保持开关(31),所述采样保持开关(31)一一对应电连接在所述第一放大器(13)和所述存储器(32)之间,且所述存储器(32)通过所述采样保持开关(31)与所述控制单元(20)电连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的