[发明专利]一种基于C

权利要求书

1.一种基于C₃对称的n型有机半导体材料，其特征在于，其结构如式1所示：

其中，R选自：C_2-60烷基、含取代基的C_2-60烷基、C_1-60烷氧基、含取代基的C_1-60烷氧基、芳香基、含取代基的芳香基、烷基芳香基、含取代基的烷基芳香基、烷基杂芳香基、含取代基的烷基杂芳香基、烷基杂环基和含取代基的烷基杂环基。

2.根据权利要求1所述有机半导体材料，其特征在于，

所述含取代基的C_2-60烷基中的取代基选自：羟基、巯基、氟原子、氯原子、溴原子、碘原子、氰基、醛基、脂基、磺基、亚磺基、硝基、氨基、亚氨基、羧基和肼基中的至少一种；

所述含取代基的C_1-60烷氧基、含取代基的芳香基、含取代基的烷基芳香基、含取代基的烷基杂芳香基和含取代基的烷基杂环基中的取代基选自：甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、羟基、巯基、氟原子、氯原子、溴原子、碘原子、氰基、醛基、脂基、磺基、亚磺基、硝基、氨基、亚氨基、羧基和肼基中的至少一种。

3.根据权利要求1所述有机半导体材料，其特征在于，所述烷氧基选自：甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、仲丁氧基、异丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、己氧基、庚氧基、辛氧基、壬氧基、癸氧基、十一碳烷氧基、十二碳烷氧基、十三碳烷氧基、十四碳烷氧基、十五碳烷氧基、十六碳烷氧基、十七碳烷氧基、十八碳烷氧基、十九碳烷氧基和二十碳烷氧基中的任一种。

4.根据权利要求1所述有机半导体材料，其特征在于，所述芳香基选自：苯基、萘基、蒽基、菲基、并四苯基、并五苯基、三苯胺基、芘基、茚基、联苯基和芴基中的至少一种。

5.根据权利要求1所述有机半导体材料，其特征在于，所述杂环基、杂芳香基均选自：噻吩、苯并噻吩、吡喃、苯并吡喃、呋喃、苯并呋喃、咪唑、苯并咪唑、吡唑、苯并吡唑、吡咯、苯并吡咯、吡啶、苯并吡啶、吡嗪、苯并吡嗪、吲哚、异吲哚、苯并吲哚、嘧啶、苯并嘧啶、萘啶、苯并萘啶、哒嗪、苯并哒嗪、吲唑、苯并吲唑、嘌呤、苯并嘌呤、喹嗪、苯并喹嗪、喹啉、苯并喹啉、吲嗪、苯并吲嗪、酞嗪、苯并酞嗪、喹喔啉、苯并喹喔啉、噻唑、苯并噻唑、咔啉、苯并咔啉、菲啶、苯并菲啶、菲咯啉、苯并菲咯啉、吖啶、苯并吖啶、吩嗪、苯并吩嗪、吩噻嗪、苯并吩噻嗪、咔唑、苯并咔唑、二并噻吩、二噻吩并吡咯、三并噻吩、四并噻吩和五并噻吩中的任一种。

6.根据权利要求1所述有机半导体材料，其特征在于，所述R选自的C_2-60烷基、含取代基的C_2-60烷基；

所述取代基选自：羟基、巯基、氟原子、氯原子、溴原子、碘原子、氰基、醛基、脂基、磺基、亚磺基、硝基、氨基、亚氨基、羧基和肼基中的至少一种。

7.根据权利要求6所述有机半导体材料，其特征在于，所述R为所述R₂、R₃选自C_3-12烷基，R₂、R₃相同或不同。

8.一种权利要求1-7任一所述有机半导体材料的合成方法，其特征在于，包括：式2化合物通过山本耦合反应得到式1化合物；