[发明专利]一种增强型AlCoCrFeNi2高熵合金基中子吸收材料的制备方法及应用有效

专利信息
申请号: 201810543343.0 申请日: 2018-05-31
公开(公告)号: CN108660352B 公开(公告)日: 2019-08-30
发明(设计)人: 陈洪胜;刘瑞峰;王文先;刘润爱;牛亚楠;张宇阳;张媛琦 申请(专利权)人: 太原理工大学
主分类号: C22C30/00 分类号: C22C30/00;C22C32/00;C22C1/05;B22F9/04;B22F3/14;G21F1/08
代理公司: 太原科卫专利事务所(普通合伙) 14100 代理人: 朱源;杨文艳
地址: 030024 *** 国省代码: 山西;14
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摘要:
搜索关键词: 高熵合金 中子吸收材料 制备 等离子放电 增强型 混粉 球磨 合金制备技术 制备方法工艺 材料内部 电阻加热 改善材料 尖端放电 界面连接 晶粒长大 局部高温 快速烧结 烧结技术 塑形变形 真空环境 烧结 摩尔比 体积比 有效地 加压 应用
【说明书】:

发明属于有色金属合金制备技术领域,具体涉及一种增强型AlCoCrFeNi2高熵合金基中子吸收材料的制备方法;将Al粉、Co粉、Cr粉、Fe粉和Ni粉按照摩尔比1:1:1:1:2进行球磨混粉制备AlCoCrFeNi2高熵合金粉末;将AlCoCrFeNi2高熵合金粉末、Al粉和B4C粉按照体积比6:3:1进行球磨混粉,采用等离子放电烧结技术在真空、电阻加热和加压的条件下烧结制备AlCoCrFeNi2高熵合金基中子吸收材料,使B4C颗粒均匀分布于基体中,Al粉的添加可进一步改善材料的塑形变形能力,真空环境可有效地避免材料的氧化,等离子放电快速烧结可避免材料内部的晶粒长大,颗粒尖端放电产生局部高温可提高材料的界面连接强度;制备方法工艺先进,数据精确翔实;AlCoCrFeNi2高熵合金基中子吸收材料致密度可达98%,硬度可达HV0.5=563.3,抗拉强度达到340 MPa。

技术领域

本发明属于有色金属合金制备及应用的技术领域,具体涉及一种增强型AlCoCrFeNi2高熵合金基中子吸收材料的制备方法。

背景技术

B4C陶瓷是一种良好的中子吸收体,B的同位素10B的热中子吸收截面为3840 b,天然B的等效热中子吸收截面为764 b,天然B的的自然丰度为19.9,吸收中子后的二次射线能量较低,同时不会产生具有危害的放射性同位素,在核工业领域中已取得了广泛的应用;但是其质脆,难以满足核辐射防护要求;因此,通常将B4C添加到塑形变形能力优异的金属基体中,如铝合金、镁合金等。

高熵合金是新型金属材料,具有独特的成分设计理念,一般含有五种或五种以上合金元素,每种合金元素的含量通常为等摩尔比。独特的成分使高熵合金具有独特的性能,通过合理的成分和工艺设计,高熵合金可呈现出传统合金无法比拟的优越综合性能,如高的强度与硬度、优异的耐磨性、耐腐蚀性能、高温氧化性能和良好的热稳定性。AlCoCrFeNi2为一种新型的高熵合金,在保持高硬度的同时具有良好的塑性变形能力。

发明内容

本发明为解决如何将B4C粉添加到AlCoCrFeNi2高熵合金粉末中获得中子吸收材料以满足核辐射防护要求,提供一种增强型AlCoCrFeNi2高熵合金基中子吸收材料的制备方法。

为解决上述技术问题,本发明所采用的技术方案为:一种增强型AlCoCrFeNi2高熵合金基中子吸收材料的制备方法,包括以下步骤:

a、球磨法制备AlCoCrFeNi2高熵合金粉末;

在真空手套箱内按照摩尔比为1:1:1:1:2分别称取Al粉、Co粉、Cr粉、Fe粉和Ni粉后置于球磨罐内进行球磨,对装有混合粉末的球磨罐进行充氩气保护,球磨机转速为350 r/min,球磨机正反方向交替运行,球磨机运行15 min 暂停15 min,有效球磨时间共72 h;

打开球磨罐,加入酒精进行湿磨,球磨机运行15 min 暂停15 min,转速为450 r/min,有效球磨时间共10 h,得到高熵合金粉末;

将湿磨过后的高熵合金粉末置于石英容器中进行除湿除气,石英容器加热温度135 ℃,保温时间15 min,容器内真空度≤5 Pa;

b、球磨混粉;将除湿除气过后的高熵合金粉与Al粉和B4C粉置于不锈钢球磨罐中进行球磨混粉,球磨转速为200 r/min,球磨时间1 h;所述AlCoCrFeNi2高熵合金粉末、Al粉和B4C粉的体积比6:3:1;

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