[发明专利]一种含环硼氮烷的硅硼氮烷陶瓷前驱体聚合物、制备方法及其应用

权利要求书

1.一种含环硼氮烷的硅硼氮烷陶瓷前驱体聚合物，其特征在于，所述含环硼氮烷的硅硼氮烷陶瓷前驱体聚合物的分子结构中含有：

(1)单烃基取代环硼氮烷，

或/和双烃基取代环硼氮烷，

和(2)硅氮烷结构，

所述含环硼氮烷的硅硼氮烷陶瓷前驱体聚合物结构式示意如下：

其中：R₁，R₂为氢或甲基；R₃为氢、乙基、炔丙基、烯丙基或苯基；R₄为甲基或乙炔基；聚合度x，y＝1～20。

2.如权利要求1所述的含环硼氮烷的硅硼氮烷陶瓷前驱体聚合物的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)在惰性 气体保护下，将氯化铵或有机伯胺在溶剂中与三卤化硼混合，然后在90～150℃下反应2～20小时，生成三卤环硼氮烷；

(2)然后加入烃基格氏试剂反应合成烃基取代卤代环硼氮烷；

(3)向步骤(2)的产物中加入二氯硅烷后，往体系内通入氨气进行共氨解反应，合成含环硼氮烷的硅硼氮烷陶瓷先驱体聚合物。

3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述的有机伯胺为乙胺、炔丙基胺、烯丙基胺或苯胺。

4.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述的三卤化硼为三氯化硼或三溴化硼。

5.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述的溶剂为苯、甲苯或氯苯。

6.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述的烃基格氏试剂为甲基溴化镁、甲基氯化镁、乙炔基溴化镁或乙炔基氯化镁。

7.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述的烃基格氏试剂的加入量为三卤环硼氮烷摩尔数的1-2倍。

8.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述的烃基取代卤代环硼氮烷为单烃基取代二氯环硼氮烷或双烃基取代单氯环硼氮烷。

9.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)所述的二氯硅烷为二氯二氢硅烷或甲基氢二氯硅烷。

10.如权利要求1所述含环硼氮烷的硅硼氮烷陶瓷前驱体聚合物的应用，是通过热聚合交联固化形成致密固化物，固化物热裂解转化成致密陶瓷，作为制备硅硼氮陶瓷基复合材料的应用。