[发明专利]一种锑基双结叠层太阳电池的制备方法有效
申请号: | 201810363280.0 | 申请日: | 2018-04-21 |
公开(公告)号: | CN108447936B | 公开(公告)日: | 2020-07-24 |
发明(设计)人: | 曹宇;周静;陈翰博;邢晓敏;侯秉东;陈步杨;周岩 | 申请(专利权)人: | 东北电力大学 |
主分类号: | H01L31/0725 | 分类号: | H01L31/0725;H01L31/18 |
代理公司: | 吉林市达利专利事务所 22102 | 代理人: | 陈传林 |
地址: | 132012 吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 锑基双结叠层 太阳电池 制备 方法 | ||
1.一种锑基双结叠层太阳电池的制备方法,其特征是,当衬底为玻璃时,为正结构,其制备方法如下步骤:
1)以玻璃为衬底;
2)采用磁控溅射法或者电子束蒸发法制备透明导电膜;
3)采用超声喷雾法或者旋涂方法制备电子传输层;
4)采用磁控溅射法、电沉积、水浴或者旋涂方法制备硫化锑吸光层;
5)采用旋涂方法制备空穴传输层;
6)采用超声喷雾法或者旋涂方法制备电子传输层;
7)采用磁控溅射法、电沉积、水浴或者旋涂方法制备硒化锑吸光层;
8)采用旋涂方法制备空穴传输层;
9)采用磁控溅射制备金属电极层。
2.一种锑基双结叠层太阳电池的制备方法,其特征是,当衬底为不锈钢时,为倒结构,其制备方法如下步骤:
1)以不锈钢为衬底;
2)采用磁控溅射制备金属电极层;
3)采用旋涂方法制备空穴传输层;
4)采用磁控溅射法、电沉积、水浴或者旋涂方法制备硒化锑吸光层;
5)采用超声喷雾法或者旋涂方法制备电子传输层;
6)采用旋涂方法制备空穴传输层;
7)采用磁控溅射法、电沉积、水浴或者旋涂方法制备硫化锑吸光层;
8)采用超声喷雾法或者旋涂方法制备电子传输层;
9)采用磁控溅射法或者电子束蒸发法制备透明导电膜;
10)用丝网印刷的方法制备金属栅线电极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的