[发明专利]一种偏置电路及基于GaAs PHEMT工艺的集成模块在审
| 申请号： | 201810343400.0 | 申请日： | 2018-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN108334150A | 公开（公告）日： | 2018-07-27 |
| 发明（设计）人： | 刘文永 | 申请（专利权）人： | 江苏卓胜微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/577 | 分类号： | G05F1/577 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 偏置单元 偏置电路 电源电压 输出端电连接 集成模块 输出电压 输出端 输入端电连接 分压电阻 偏置电压 输入电压 电连接 输入端 次幂 漏极 输出 | ||
【权利要求书】：
1.一种偏置电路，其特征在于，包括：
L级偏置单元，L为大于1的正整数；
第i级偏置单元的输出端与第i-1级偏置单元的输入端电连接，i为大于1，并小于或等于L的正整数；第L级偏置单元的输入端与电源电压输出端电连接；第1级偏置单元的输出端与所述偏置电路的输出端电连接；
每级偏置单元包括串联连接的分压电阻和至少一个N型晶体管；分压电阻的第一连接端与该级偏置单元的输入端电连接，第二连接端与该级偏置单元的输出端电连接，并与所述至少一个N型晶体管中的第一个N型晶体管的漏极电连接；所述至少一个N型晶体管中的最后一个N型晶体管的源极接地；其中，每个N型晶体管的栅极与漏极电连接。
2.根据权利要求1所述的偏置电路，其特征在于：
所述N型晶体管为砷化镓GaAs工艺的赝调制掺杂异质结场效应晶体管PHEMT晶体管。
3.一种基于GaAs PHEMT工艺的集成模块，其特征在于，包括上述权利要求1-2任一项所述的偏置电路。
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