[发明专利]一种射频开关芯片的版图结构

说明书

本发明涉及集成电路技术领域，尤其涉及一种射频开关芯片的版图结构，应用于一射频开关芯片；该版图结构包括：第一版图区，对应第一MOS管组；第二版图区，对应第二MOS管组；第三版图区，对应第三MOS管组；第四版图区，对应第四MOS管组；第五版图区，对应控制模块；其中，第一版图区与第二版图区左右对齐且沿一对称轴对称；第三版图区与第四版图区左右对齐且沿对称轴对称；第一版图区与第三版图区前后对齐；第二版图区与第四版图区前后对齐；第五版图区与第三版图区与第四版图区对齐的边缘具有一预设距离；使得射频开关具有较低的电磁干扰的同时，将版图面积控制在最小，实现简单，成本低廉。

技术领域

本发明涉及集成电路技术领域，尤其涉及一种射频开关芯片的版图结构。

背景技术

射频开关是用于控制射频信号传输路径和信号大小的控制器件之一，可称得上是现在使用最广泛的射频器件之一。

射频开关在无线通信，电子对抗和雷达系统等许多领域中有广泛用途。随着现代无线通讯系统的发展，移动通信和雷达以及卫星通信等通信系统对收发切换开关的开关速度，功率容量和集成性等方面有了更高的要求。

传统的射频开关不注重版图布局对射频开关性能的影响，从而产生诸多问题，例如产生较高的电磁干扰，或者产生较大的占用面积。

发明内容

针对上述问题，本发明提出了一种射频开关芯片的版图结构，应用于一射频开关芯片；

其中，所述射频开关芯片包括用于传输射频信号的主电路，串联在所述主电路上的第一MOS管组和第二MOS管组，与所述第一MOS管组连接以用于在所述第一MOS管组关断时进行泄流的第三MOS管组，与所述第二MOS管组连接以用于在所述第二MOS管组关断时进行泄流的第四MOS管组，以及分别连接所述第一MOS管组、所述第二MOS管组、所述第三MOS管组和所述第四MOS管组的控制模块；

所述版图结构包括：

第一版图区，对应所述第一MOS管组；

第二版图区，对应所述第二MOS管组；

第三版图区，对应所述第三MOS管组；

第四版图区，对应所述第四MOS管组；

第五版图区，对应所述控制模块；

其中，所述第一版图区与所述第二版图区左右对齐且沿一对称轴对称；所述第三版图区与所述第四版图区左右对齐且沿所述对称轴对称；

所述第一版图区与所述第三版图区前后对齐；所述第二版图区与所述第四版图区前后对齐；

所述第五版图区与所述第三版图区与所述第四版图区对齐的边缘具有一预设距离。

上述的版图结构，其中，所述预设距离为33μm～37μm。

上述的版图结构，其中，所述第五版图区沿所述对称轴左右对称。

上述的版图结构，其中，在所述控制模块的控制下，所述第一MOS管组导通时所述第二MOS管组关断，所述第二MOS管组导通时，所述第一MOS管组关断。

上述的版图结构，其中，所述第五版图区中的所述控制模块具有堆叠的金属互联层；

堆叠的所述金属互联层中顶层的所述金属互联层为地线连线层。

上述的版图结构，其中，所述第一版图区中，所述第一MOS管组中的每个MOS管的源端与漏端的金属连线相互错开。

上述的版图结构，其中，所述第二版图区中，所述第二MOS管组中的每个MOS管的源端与漏端的金属连线相互错开。