[发明专利]用于蚀刻吸收结构的方法有效

专利信息
申请号: 201780075200.5 申请日: 2017-12-18
公开(公告)号: CN110035722B 公开(公告)日: 2021-11-12
发明(设计)人: G.A.维恩斯;W.M.哈巴德;K.A.阿罗拉;N.R.惠特利;M.C.科利尔 申请(专利权)人: 宝洁公司
主分类号: A61F13/15 分类号: A61F13/15
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 葛青;宋莉
地址: 美国俄亥俄*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 蚀刻 吸收 结构 方法
【权利要求书】:

1.一种蚀刻吸收物层的方法,所述方法包括:

a)提供吸收物层;

b)提供流体蚀刻系统,所述流体蚀刻系统包括一个或多个流体喷嘴、载带和模版,

其中所述载带在所述一个或多个流体喷嘴下方承载吸收物层,其中所述模版位于所述流体喷嘴和所述吸收物层之间;

c)将流体从所述流体喷嘴通过所述模版的开孔喷出;以及

d)通过使从所述流体喷嘴通过所述模版的开孔喷出的流体冲击吸收物层,使所述吸收物层裂缝。

2.根据权利要求1所述的方法,其中所述流体的压力介于20巴和400巴之间。

3.根据权利要求1所述的方法,其中所述一个或多个流体喷嘴设置在射流头内。

4.根据权利要求1所述的方法,其中所述吸收物层包括第一层和位于第一层下方的第二层。

5.根据权利要求4所述的方法,其中所述吸收物层的第一层为纤维层。

6.根据权利要求4所述的方法,其中所述吸收物层的第二层为开孔泡沫。

7.根据权利要求4所述的方法,其中所述吸收物层还包括位于第二层下方的由纤维层组成的第三层。

8.根据权利要求1所述的方法,其中所述流体蚀刻系统包括所述载带下方的真空装置。

9.根据权利要求8所述的方法,其中所述真空装置位于所述一个或多个流体喷嘴下方的所述载带下方。

10.根据权利要求1所述的方法,其中所述模版由具有重复图案的带构成。

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