[实用新型]一种多晶硅破碎锤

说明书

本实用新型属于单晶硅生产设备领域，特别涉及一种多晶硅破碎锤，包括棒状的柄部以及位于所述柄部顶端并与柄部垂直连接的锤体，所述锤体包括锤头和连接部，连接部固定连接在柄部顶端；所述锤头包括半球型缓冲芯部和包裹在缓冲芯部的球型侧面外部的硬质合金层，缓冲芯部的水平侧面与连接部一体连接，硬质合金层呈弧面板状且其用于打击多晶硅的打击弧面上一体设有数个球形凸起。本实用新型结构简单，设计巧妙，能够极大程度上解决打击部磨损造成的杂质混入以及打击部给于多晶硅硅锭打击力不均匀造成多晶硅硅粉大量产生的问题，提高多晶硅硅锭的破碎合格率。

技术领域

本实用新型属于单晶硅生产设备领域，特别涉及一种多晶硅破碎锤。

背景技术

多晶硅作为半导体用的单晶硅晶片原料，需要将高纯度多晶硅利用坩埚熔化并用使用单晶硅的晶种而使得单晶硅生长。目前高纯度的多晶硅用被称为西门子法的方法来制造，通过该方法能够获得直径140mm左右的呈圆柱状的多晶硅硅锭。将硅锭用锤打击破碎后，可获得能够大小体积适宜放入坩埚内进行熔化的多晶硅碎块。但是，在锤的打击部的硬度较低的情况下，存在打击面磨损而磨损后的铁粉混入多晶硅碎片中的可能，进而造成单晶硅生产失败。

因此，在例如特开平06-218677号公报以及特开平10-006242号公报中公开有一种用于多晶硅的破碎的锤，具有硬度较高而不易由于打击而磨损的超硬合金制的打击部，可是在上述专利文献中所述的锤中，其打击面设置为比较平坦，因此在打击时极大程度会将多晶硅破碎的很细碎，导致多晶硅碎块的成品率降低。此外，形成在打击面的周边部上的角部容易缺损，因此也存在多晶硅的破碎片中混入打击部碎碴的危险；而且锤头本体是由与打击部相比硬度较低的材料形成，因此容易在与打击部的接合面处磨损，存在由于该磨损而产生的金属粉混入多晶硅的破碎片中的危险。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种多晶硅破碎锤，本实用新型结构简单，设计巧妙，能够极大程度上解决打击部磨损造成的杂质混入以及打击部给于多晶硅硅锭打击力不均匀造成多晶硅硅粉大量产生的问题，提高多晶硅硅锭的破碎合格率。

为解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案如下：

一种多晶硅破碎锤，包括棒状的柄部以及位于所述柄部顶端并与柄部垂直连接的锤体，所述锤体包括锤头和连接部，连接部固定连接在柄部顶端；所述锤头包括半球型缓冲芯部和包裹在缓冲芯部的球型侧面外部的硬质合金层，缓冲芯部的水平侧面与连接部一体连接，硬质合金层呈弧面板状且其用于打击多晶硅的打击弧面上一体设有数个球形凸起。

优选的，所述硬质合金层的边沿处设有数个通孔，螺钉通过通孔与缓冲芯部连接；所述缓冲芯部的硬度小于多晶硅的硬度，硬度合金层的硬度高于多晶硅的硬度。

优选的，所述锤体还包括配重部，配重部包括圆柱型配重块以及配重块端面边侧轴向延伸的筒壁，筒壁上设有内螺纹，连接部远离锤头的一端设有外螺纹，连接部与筒壁螺纹连接。

优选的，所述柄部包括支撑芯部和包裹在所述支撑芯部外壁上的吸震层。

优选的，所述支撑芯部为金属棒，所述吸震层为橡胶层。

本实用新型提供一种多晶硅破碎锤，利用呈球面状的弧型打击面打击多晶硅硅锭，其边棱处基本不与多晶硅接触，防止现有技术中破碎锤长时间作业且力度把握不稳所造成的锤头边棱接触多晶硅，进而导致边棱磨损产生金属粉末杂质的问题。

同时采用硬度较高的材料如硬度较低、韧性较高的低碳钢制成硬质合金层，可以进一步降低打击面磨损率从而解决磨损产生金属粉混入多晶硅硅锭的问题。而且硬质合金层与缓冲芯部可拆卸连接，便于即时更换新的硬质合金层。