[实用新型]一种双面光伏组件有效
申请号: | 201720408260.1 | 申请日: | 2017-04-18 |
公开(公告)号: | CN206907783U | 公开(公告)日: | 2018-01-19 |
发明(设计)人: | 刘秤明;刘亚锋;陶武松;金浩 | 申请(专利权)人: | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/05 | 分类号: | H01L31/05 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 罗满 |
地址: | 314416 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 双面 组件 | ||
技术领域
本实用新型涉及光伏组件技术领域,特别是涉及一种双面光伏组件。
背景技术
随着能源危机、环境污染的不断加剧,同时科学技术的日新月异使得新能源的使用成本大幅下降,在作为传统能源的补充的同时,其所占比重也越来越大,而在新能源中的光伏发电也得到越来越广泛的应用。光伏发电是利用半导体界面的光生伏特效应而将太阳能直接转变为电能的一种发电技术。该技术利用的是可再生的太阳能,发电过程中安全可靠、无噪声、不会造成环境污染,且不受资源分布地域的限制,具有广阔的发展前景、目前光伏发电已经受到世界各国的广泛关注,光伏行业也已经发展成为一个新兴产业。
光伏电池目前主要有晶硅电池与薄膜电池,其中作为主流的晶硅电池可以分为单面电池与双面电池。常规的单面电池一般是p型硅材料制成的n+/p型结构,p层与n层的交界面处就形成p-n结,n层顶重掺杂n+层作为发射极,在电池正面作为负极,p层在电池背面作为正极,单面电池只有正面才能接受光,产生电能。而目前主流的双面电池一般是n型双面电池,与常规P型电池不同,其结构为P++/n/n++型。P++层在电池正面作为正极,n++层在电池背面作为负极,正反面均有钝化膜,金属电极由丝网印刷完成,正反面栅线结构都是常规的H-型。因此,双面电池不仅正面可吸收光,其背面也能吸收光从而产生额外电力。随着技术的发展,电池正、反面效率有可能接近,成为一种具有更高效率电池。
现有的双面电池的串联、排版采用的是单面电池的正反面串联、排版方式,如图1所示。由于双面电池片1较薄,正反面串联使用焊带2焊接时,焊带会对电池片产生应力,电池容易产生隐裂、破片等情况。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供了一种双面光伏组件,提高双面光伏组件制程中电池片单、串焊工艺的效率,并且减少电池片的隐裂、破片的几率。
为解决上述技术问题,本实用新型实施例提供了一种双面光伏组件,包括多个双面电池片,横向相邻的所述双面电池片的正面反向设置,并通过焊带将相邻的所述双面电池片焊接形成电池串。
其中,相邻的所述电池串的双面电池片的数量相等。
其中,纵向相邻的多个所述电池串通过汇流条串联连接。
其中,纵向相邻的多个所述电池串通过汇流条并联连接。
其中,还包括接线盒,多个所述电池串连接后与所述接线盒的二极管串联连接。
其中,所述电池串的数量为偶数,多个所述电池串连接后引出的正极和负极位于所述电池串的同侧。
其中,所述双面电池片的正面和背面的发电效率相等。
本实用新型实施例所提供的双面光伏组件,与现有技术相比,具有以下优点:
本实用新型实施例提供的双面光伏组件,包括多个双面电池片,横向相邻的所述双面电池片的正面反向设置,并通过焊带将相邻的所述双面电池片焊接形成电池串。
所述双面光伏组件,通过将横向相邻的双面电池片在串联过程中,相邻的双面电池片反向设置,这样在通过焊带焊接时,由于焊带需要将相邻的双面电池片的异种电极连接,因此焊带只需要放相邻的双面电池片焊接即可,焊带无需像现有技术中的焊接方式那样进行弯折,使得焊带的焊接过程变得简单,提高了焊接效率,而且由于同一焊带是在同侧焊接,减少或避免了电池在单、串焊过程中焊带对电池片产生的应力,减少了电池发生隐裂、破片的几率,提高了焊接质量。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术中的双面光伏组件的串联排版结构示意图;
图2为本实用新型实施例提供的双面光伏组件的一种具体实施方式的结构示意图;
图3为本实用新型实施例提供的双面光伏组件的一种具体实施方式的排版结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的