[实用新型]无压降防反接电路

权利要求书

1.一种无压降防反接电路，其特征在于：该无压降防反接电路包括一有源整流桥，连接于电源与负载之间，以使得不论电源如何连接均保证从该负载的第一电源输出端输出高电压而从该负载的第二电源输出端输出低电压。

2.如权利要求1所述的一种无压降防反接电路，其特征在于：该有源整流桥包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管以及第四MOS管，当该电源的第一电源输入端为正，第二电源输入端为负时，电流从电源正极经该第一MOS管流入该负载的第一电源输出端，然后从该负载的第二电源输出端流出，经该第三MOS管至该电源的第二电源输入端；当该第一电源输入端为负，第二电源输入端为正时，电流从电源正极经该第四MOS管流入该负载的第一电源输出端，然后从该负载的第二电源输出端流出，经该第二MOS管至该第一电源输入端。

3.如权利要求2所述的一种无压降防反接电路，其特征在于：该第一MOS管与第四MOS管为PMOS管，该第二MOS管与第三MOS管为NMOS管。

4.如权利要求3所述的一种无压降防反接电路，其特征在于：该第一电源输入端连接该第一MOS管的漏极、第二MOS管的漏极、第三MOS管的栅极和第四MOS管的栅极，该第二电源输入端连接该第四MOS管的漏极、第三MOS管的漏极、该第一MOS管的栅极和该第二MOS管的栅极，该第一电源输出端连接该第一MOS管的源极和该第四MOS管的源极，该第二电源输出端连接该第二MOS管的源极和该第三MOS管的源极。

5.如权利要求4所述的一种无压降防反接电路，其特征在于：每个MOS均内接保护二极管。

6.如权利要求5所述的一种无压降防反接电路，其特征在于：该保护二极管为阴极接高电压端而阳极接低电压端。

7.如权利要求6所述的一种无压降防反接电路，其特征在于：该PMOS管的保护二极管的阴极接该PMOS管的源极，阳极接该PMOS管的漏极，该NMOS管的保护二极管的阴极接该NMOS管的漏极，阳极接该NMOS管的源极。

8.如权利要求6所述的一种无压降防反接电路，其特征在于：该NMOS管和PMOS管的导通电阻小于50毫欧，且在导通时随着栅源电压成反比变化。

9.如权利要求6所述的一种无压降防反接电路，其特征在于：当该第一电源输入端为电源正极，第二电源输入端为电源负极时，电源电压从电源正极经连接在第一MOS管的漏极和源极间的保护二极管连接至该第一MOS管的源极，该第一MOS管的栅极接电源负极，该第一MOS管的栅源反偏，从而第一MOS管形成导通沟道，同时电源电压从电源正极经第三MOS管的栅极和源极，再经过连接在第三MOS管的源极和漏极间的保护二极管连接至电源负极。

10.如权利要求9所述的一种无压降防反接电路，其特征在于：当该第一电源输入端为电源负极，第二电源输入端为电源正极时，电源电压从电源正极经连接在该第四MOS管的漏极和源极间的保护二极管连接至该第四MOS管的源极，而该第四MOS管的栅极接电源负极，第四MOS管的栅源反偏，从而该第四MOS管形成导通沟道，同时电源电压从电源正极经该第二MOS管的栅极和源极，再经过连接在该第二MOS管的源极和漏极间的保护二极管连接至第一电源输入端即电源负极。