[实用新型]低噪声放大器

说明书

技术领域

本实用新型涉及集成电路技术领域，特别涉及一种低噪声放大器。

背景技术

低噪声放大器一般用作各类无线电接收机的高频或中频前置放大器，以及高灵敏度电子探测设备的放大电路，尤其被广泛应用于移动通信基础设施中，例如收发器无线通信卡、塔顶放大器、组合器、中继器以及远端/数字无线宽带头端设备等。

传统的低噪声放大器设置在移动通信基础设施中时，当低噪声放大器处于开启状态时，其用于将输入信号放大后生成输出信号供接收系统使用；当低噪声放大器关闭时，用于将输入端和接收系统相隔离，此时接收系统无法获取输入信号。所以，为了保证接收系统的正常工作，低噪声放大器必须一直处于开启状态，这就存在整个系统功耗较大的问题。尤其当输入信号较大，不需要经过低噪声放大器的放大，接收系统就能识别时会存在明显的功耗浪费的问题。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是为了克服现有技术中低噪声放大器功耗较大的缺陷，提供一种能够降低功耗的低噪声放大器。

本实用新型是通过下述技术方案来解决上述技术问题：

一种低噪声放大器，其特点在于，包括放大器基本电路和旁路电路，所述放大器基本电路包括输入端电路和输出端电路；所述旁路电路包括旁路晶体管和旁路电容；所述旁路晶体管的源极与所述输入端电路电连接，所述旁路晶体管的漏极与所述旁路电容的一端电连接，所述旁路电容的另一端与所述输出端电路电连接，所述旁路晶体管的栅极上设有旁路控制电压，所述旁路控制电压用于控制所述旁路晶体管的开启与关闭。

本方案中，放大器基本电路为常规的低噪声放大器电路。当输入信号较小，需要经放大后接收端才能识别时，低噪声放大器需要工作在放大模式，此时设置旁路控制电压为零，使得旁路晶体管关断，从而使得旁路电路不影响低噪声放大器的放大功能，低噪声放大器将输入信号放大可以改善输出端信号的质量。当输入信号足够大不需要经过放大处理接收端就能识别时，通过设置旁路控制电压使得其大于旁路晶体管的阈值电压，使得旁路晶体管导通，此时输入信号直接经旁路电路输出至输出端电路，供后续接收端使用。此时放大器基本电路的其它电路处于关闭状态，整个低噪声放大器工作于旁路模式，避免了输出端信号太大会导致后级电路饱和而无法正常工作的问题，有效地降低了整个低噪声放大器的功耗。

较佳地，所述输入端电路包括信号输入端、输入端电感和输入端电容，所述输入端电感的一端接至所述信号输入端，所述输入端电感的另一端与所述输入端电容的一端电连接；所述输出端电路包括信号输出端、输出端电感和输出端电容，所述输出端电感的一端接入电源电压，所述输出端电感的另一端与所述输出端电容的一端电连接，所述输出端电容的另一端接至所述信号输出端。

较佳地，所述旁路晶体管的源极与所述输入端电感的另一端以及所述输入端电容的一端电连接。

较佳地，所述旁路晶体管的源极与所述输入端电容的另一端电连接。

较佳地，所述旁路电容的另一端、所述输出端电感的另一端以及所述输出端电容的一端电连接。

较佳地，所述旁路电容的另一端接至所述信号输出端。

本实用新型中旁路电路的连接方式有多种，具体应用时根据具体电路的输入输出阻抗匹配需求进行选择。

较佳地，所述放大器基本电路还包括第一晶体管、第二晶体管、第一电阻和第一电感；所述第一电阻的一端接入第一控制电压，所述第一电阻的另一端、所述第一晶体管的栅极以及所述输入端电容的另一端电连接；所述第一电感的一端接地，所述第一电感的另一端与所述第一晶体管的源极电连接，所述第一晶体管的漏极与所述第二晶体管的源极电连接，所述第二晶体管的漏极、所述输出端电感的另一端、所述输出端电容的一端电连接；所述第二晶体管的栅极接入第二控制电压。

本方案中，通过设置第一控制电压和第二控制电压的电压值，使得高于晶体管的阈值电压，从而使得第一晶体管和第二晶体管导通，使得放大器基本电路工作于放大模式。当低噪声放大器工作于旁路模式时，通过控制第一控制电压，将其设为零，此时第一晶体管关断，使得放大器基本电路处于断路状态，整个低噪声放大器运行于旁路模式，从而达到省电的效果。

较佳地，所述第一晶体管为NMOS(N型金属-氧化物-半导体)管，所述第二晶体管为NMOS管。

较佳地，所述旁路晶体管为NMOS管。