[发明专利]一种三沟水流同向Orbal氧化沟流态调节结构及方法

说明书

一种三沟水流同向Orbal氧化沟流态调节结构及方法，包括设置在氧化沟外侧的氧化沟中沟与氧化沟外沟，在氧化沟中沟与氧化沟外沟上分别间隔设置有曝气区与缺氧区，氧化沟中沟与氧化沟外沟之间设置有隔墙，在隔墙上的曝气区与缺氧区交界处沿水流方向向下游开设一定宽度孔洞，原水首先进入氧化沟外沟缺氧区，水流流经外沟缺氧区与外沟曝气区交界处，部分水流从孔洞中流出，缺氧区内导流墙将孔洞流出的水流顺利导入下游中沟缺氧区，水流从外沟缺氧区不改变方向的流到中沟缺氧区，水流在中沟缺氧向下游流动，部分水流在孔洞与外导流墙、内分水墙的作用下再次进入外沟下一个外沟缺氧区，并继续项下游流动，本发明具有实现氧化沟变速节能的特点。

技术领域

本发明涉及污水处理技术领域，尤其涉及一种三沟水流同向Orbal氧化沟流态调节结构及方法。

背景技术

氧化沟工艺是一种常见的污水处理工艺，传统氧化沟工艺采用表面曝气设备，表面曝气设备起到充氧、推流及搅拌的作用，为保证氧化沟系统活性污泥处于悬浮状态，氧化沟工艺流速一般要控制在0.3m/s以上。为提高系统曝气效率、降低运行能耗，近年来微孔曝气系统逐渐在氧化沟工艺中推广应用。由于布置在池底的微孔曝气器的气体混合提升作用，微孔曝气区无需高流速来保持活性污泥的混合状体，因此氧化沟微孔曝气区高流速实际是一种能量的浪费。针对此问题，彭党聪等人提出了变速氧化沟工艺技术，通过改变氧化沟曝气区廊道宽度及深度，增加曝气区过流面积，从而降低曝气混合液流速，提出了等深变速与等宽变速氧化沟工艺。该工艺适用于新建的氧化沟污水处理工艺，而对于已建成的氧化沟工艺进行池形改造实施难度较大，成本较高。针对池形改造变速氧化沟存在的问题，金鹏康等人提出了一种不改变氧化沟池形的开孔与流态调节方法及结构及结构，通过在氧化沟缺氧区开设孔洞、设置导流墙等措施，实现混合液在缺氧区反复循环，增加缺氧区廊道流量从而改变流速。然而该工艺的实施要求氧化沟工艺必须具有独立的缺氧区廊道，即该技术只适用于三廊道以上的Carrousel氧化沟工艺，且缺氧区廊道水流方向必须异向。对于Orbal氧化沟工艺而言，由于池形原因，Orbal氧化沟工艺不具备完全处于缺氧状态的廊道，且一般Orbal氧化沟工艺三个廊道中水流方向相同，因此无法实现变速流态调节。

发明内容

为了克服现有技术的不足，本发明提供一种三沟水流同向Orbal氧化沟流态调节结构及方法，实现了水流在外沟与中沟缺氧区内部的反复循环，增加缺氧区表观流量、降低曝气区流表观流量，达到曝气区低流速、缺氧区区高流速的运行效果，实现氧化沟变速节能效果。

为了实现上述目的，本发明通过以下技术方案实现：

一种三沟水流同向Orbal氧化沟流态调节结构，包括设置在氧化沟外侧的氧化沟中沟2与氧化沟外沟1，在氧化沟中沟2与氧化沟外沟1上分别间隔设置有曝气区与缺氧区，所述的氧化沟中沟2与氧化沟外沟1之间设置有隔墙3，在隔墙3上的曝气区与缺氧区交界处沿水流方向向下游开设一定宽度孔洞10。

所述的曝气区分为外沟曝气区5与中沟曝气区7，所述的缺氧区分为外沟缺氧区4与中沟缺氧区6；

所述的外沟曝气区5与中沟缺氧区6在以同一点为圆心的扇形范围内，所述的外沟缺氧区4与中沟曝气区7在以同一点为圆心的扇形范围内。

所述的孔洞10的外沟曝气区5设置外分水墙8，中沟缺氧区6设置有内导流墙9，中沟曝气区7设置有内分水墙13，外沟缺氧区4设置外导流墙12；

同一孔洞10的外分水墙8与内导流墙9分别位于孔洞10两侧，且曲度异向，外导流墙12和内分水墙13也位于同一孔洞10两侧且曲度异向；

所述的内导流墙9、内分水墙13与隔墙3曲度异向，外导流墙12、外分水墙8与隔墙3曲度同向。

所述的外分水墙8与隔墙3上有包围区域11，包围区域11不设置底部曝气盘。

所述的外沟缺氧区4与中沟缺氧区6之间的水流交替流动且不改变方向。